S2M0160120K SMC DIODE SOLUTIONS
на замовлення 16 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 340.49 грн |
| 6+ | 202.11 грн |
| 17+ | 191.10 грн |
| 600+ | 190.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S2M0160120K SMC DIODE SOLUTIONS
Description: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 20V, Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +20V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції S2M0160120K за ціною від 302.42 грн до 462.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| S2M0160120K | Виробник : SMC Diode Solutions |
Description: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 20V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +20V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513 pF @ 1000 V |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|