Продукція > SMC DIODE SOLUTIONS > S3D08065G
S3D08065G

S3D08065G SMC Diode Solutions

S3D08065A%20S3D08065E%20S3D08065G%20S3D08065F%20N2425%20REV.B.pdf
Виробник: SMC Diode Solutions
Description: DIODE SIL CARB 650V 23A TO263-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 51 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263-2
Current - Average Rectified (Io): 23A
Capacitance @ Vr, F: 661pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+194.03 грн
10+167.94 грн
100+134.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S3D08065G SMC Diode Solutions

Description: DIODE SIL CARB 650V 23A TO263-2, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Reverse Leakage @ Vr: 51 µA @ 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-263-2, Current - Average Rectified (Io): 23A, Capacitance @ Vr, F: 661pF @ 0V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io).

Інші пропозиції S3D08065G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
S3D08065G S3D08065G SMC Diode Solutions S3D08065A%20S3D08065E%20S3D08065G%20S3D08065F%20N2425%20REV.B.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 23A TO263-2
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 51 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263-2
Current - Average Rectified (Io): 23A
Capacitance @ Vr, F: 661pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3D08065G S3D08065A%20S3D08065E%20S3D08065G%20S3D08065F%20N2425%20REV.B.pdf
S3D08065G
Виробник: SMC Diode Solutions
Description: DIODE SIL CARB 650V 23A TO263-2
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 51 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263-2
Current - Average Rectified (Io): 23A
Capacitance @ Vr, F: 661pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.