
S3D08065I SMC DIODE SOLUTIONS

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 2.4V
Max. forward impulse current: 530A
Kind of package: tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 174.54 грн |
8+ | 112.38 грн |
22+ | 106.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S3D08065I SMC DIODE SOLUTIONS
Description: DIODE SIL CARB 650V 27A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 650pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 27A, Supplier Device Package: TO-220-Isolation, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V.
Інші пропозиції S3D08065I за ціною від 125.68 грн до 227.05 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
S3D08065I | Виробник : SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220ISO Max. forward voltage: 2.4V Max. forward impulse current: 530A Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
S3D08065I | Виробник : SMC Diode Solutions |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 650pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 27A Supplier Device Package: TO-220-Isolation Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|