
S3D20065D1 SMC DIODE SOLUTIONS

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-3,TO247AD
Mounting: THT
Case: TO247-3; TO247AD
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 2.4V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 102A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 396.83 грн |
4+ | 257.63 грн |
10+ | 243.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S3D20065D1 SMC DIODE SOLUTIONS
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1190pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-247AD, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V.
Інші пропозиції S3D20065D1 за ціною від 291.73 грн до 476.19 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
S3D20065D1 | Виробник : SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-3,TO247AD Mounting: THT Case: TO247-3; TO247AD Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 2.4V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 102A Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
S3D20065D1 | Виробник : SMC Diode Solutions |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1190pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-247AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |