на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 489.34 грн | 
| 4+ | 300.70 грн | 
| 11+ | 284.47 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S3D20065D1 SMC DIODE SOLUTIONS
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1190pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-247AD, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V. 
Інші пропозиції S3D20065D1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | 
|---|---|---|---|---|---|
|   | S3D20065D1 | Виробник : SMC Diode Solutions |  Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1190pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-247AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V | товару немає в наявності |