S3DHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3500+ | 12.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S3DHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB, Current - Average Rectified (Io): 3A, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-214AB, SMC, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: DO-214AB (SMC).
Інші пропозиції S3DHE3_A/I за ціною від 9.81 грн до 43.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
S3DHE3_A/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214ABReverse Recovery Time (trr): 2.5 µs Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AB, SMC Packaging: Cut Tape (CT) Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) Current - Average Rectified (Io): 3A Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
S3DHE3_A/I | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 3A 200V 100A@8.3ms Single Die Auto |
на замовлення 3305 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| S3DHE3_A/I | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers 3A 200V 100A@8.3ms Single Die Auto |
товару немає в наявності |
