Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > S3DHE3_A/I
S3DHE3_A/I

S3DHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

s3a.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3500+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S3DHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB, Current - Average Rectified (Io): 3A, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-214AB, SMC, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: DO-214AB (SMC).

Інші пропозиції S3DHE3_A/I за ціною від 12.46 грн до 35.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
S3DHE3_A/I S3DHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division s3a.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.41 грн
11+29.28 грн
100+21.87 грн
500+16.13 грн
1000+12.46 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3DHE3_A/I S3DHE3_A/I Vishay General Semiconductor s3a.pdf Rectifiers 3A 200V 100A@8.3ms Single Die Auto
на замовлення 3305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S3DHE3_A/I s3a.pdf
S3DHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.41 грн
11+29.28 грн
100+21.87 грн
500+16.13 грн
1000+12.46 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3DHE3_A/I s3a.pdf
S3DHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 3A 200V 100A@8.3ms Single Die Auto
на замовлення 3305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.