
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
850+ | 7.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S3J-E3/57T Vishay
Description: VISHAY - S3J-E3/57T - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 3 A, Einfach, 1.15 V, 2.5 µs, 100 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-214AB (SMC), Durchlassstoßstrom: 100A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.15V, Sperrverzögerungszeit: 2.5µs, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: S3J-E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції S3J-E3/57T за ціною від 8.02 грн до 38.62 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
S3J-E3/57T | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AB, SMC Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
S3J-E3/57T | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 2.5µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: S3J-E productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
S3J-E3/57T | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 2.5us; DO214AB,SMC; Ufmax: 1.15V Type of diode: rectifying Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward impulse current: 100A Semiconductor structure: single diode Case: DO214AB; SMC Mounting: SMD Leakage current: 0.25mA Kind of package: 7 inch reel Max. forward voltage: 1.15V Quantity in set/package: 850pcs. Features of semiconductor devices: glass passivated Capacitance: 60pF Reverse recovery time: 2.5µs Load current: 3A |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
S3J-E3/57T | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AB, SMC Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
на замовлення 3902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
S3J-E3/57T | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 13746 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
S3J-E3/57T | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 2.5us; DO214AB,SMC; Ufmax: 1.15V Type of diode: rectifying Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward impulse current: 100A Semiconductor structure: single diode Case: DO214AB; SMC Mounting: SMD Leakage current: 0.25mA Kind of package: 7 inch reel Max. forward voltage: 1.15V Quantity in set/package: 850pcs. Features of semiconductor devices: glass passivated Capacitance: 60pF Reverse recovery time: 2.5µs Load current: 3A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 270 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
S3J-E3/57T | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 2.5µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |