S3JB R5G

S3JB R5G Taiwan Semiconductor Corporation


S3AB%20SERIES_M2102.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 315 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.68 грн
10+39.77 грн
100+30.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S3JB R5G Taiwan Semiconductor Corporation

Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: DO-214AA (SMB), Current - Average Rectified (Io): 3A, Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-214AA, SMB, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції S3JB R5G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
S3JB R5G S3JB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S3AB%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3JB R5G S3JB R5G Taiwan Semiconductor S3AB%20SERIES_M2102.pdf Rectifiers 3A, 600V, Standard Recovery Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3JB R5G S3AB%20SERIES_M2102.pdf
S3JB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S3JB R5G S3AB%20SERIES_M2102.pdf
S3JB R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor
Rectifiers 3A, 600V, Standard Recovery Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.