
S3JHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
850+ | 15.50 грн |
1700+ | 12.13 грн |
2550+ | 10.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S3JHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AB, SMC, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: DO-214AB (SMC), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції S3JHE3_A/H за ціною від 19.12 грн до 33.34 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
S3JHE3_A/H | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AB, SMC Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
S3JHE3_A/H | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |