Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > S3JHE3_A/I
S3JHE3_A/I

S3JHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

s3a.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 38500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3500+10.99 грн
7000+10.05 грн
10500+9.33 грн
24500+8.55 грн
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S3JHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AB, SMC, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: DO-214AB (SMC), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції S3JHE3_A/I за ціною від 11.11 грн до 32.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
S3JHE3_A/I S3JHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division s3a.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 52646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.55 грн
12+26.79 грн
100+18.66 грн
500+13.67 грн
1000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3JHE3_A/I S3JHE3_A/I Vishay General Semiconductor s3a.pdf Rectifiers 3A 600V 100A@8.3ms Single Die Auto
на замовлення 4053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S3JHE3_A/I s3a.pdf
S3JHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 52646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.55 грн
12+26.79 грн
100+18.66 грн
500+13.67 грн
1000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S3JHE3_A/I s3a.pdf
S3JHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 3A 600V 100A@8.3ms Single Die Auto
на замовлення 4053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.