Продукція > SMC DIODE SOLUTIONS > S4D10120G0
S4D10120G0

S4D10120G0 SMC DIODE SOLUTIONS

S4D10120G0%20N2668%20REV.-.pdf Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+88.92 грн
10+74.92 грн
14+65.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S4D10120G0 SMC DIODE SOLUTIONS

Description: DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 772pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: TO-263-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V.

Інші пропозиції S4D10120G0 за ціною від 71.56 грн до 106.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
S4D10120G0 S4D10120G0 Виробник : SMC DIODE SOLUTIONS S4D10120G0%20N2668%20REV.-.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.70 грн
10+93.36 грн
14+78.90 грн
38+74.31 грн
200+71.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
S4D10120G0 S4D10120G0 Виробник : SMC Diode Solutions S4D10120G0%20N2668%20REV.-.pdf Description: DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 772pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S4D10120G0 S4D10120G0 Виробник : SMC Diode Solutions S4D10120G0%20N2668%20REV.-.pdf Description: DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 772pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.