на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 69.09 грн |
| 10+ | 41.97 грн |
| 100+ | 24.94 грн |
| 500+ | 19.59 грн |
| 1000+ | 16.30 грн |
| 2500+ | 14.84 грн |
| 5000+ | 13.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S4PDHM3_B/I Vishay
Description: DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: TO-277A (SMPC), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції S4PDHM3_B/I
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
S4PDHM3_B/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE GEN PURP 200V 4A TO277APackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |