на замовлення 5850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 56.26 грн |
| 10+ | 40.27 грн |
| 100+ | 24.15 грн |
| 500+ | 18.49 грн |
| 1000+ | 15.70 грн |
| 1500+ | 11.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S4PJHM3_B/H Vishay
Description: DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: TO-277A (SMPC), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції S4PJHM3_B/H
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| S4PJHM3_B/H | Виробник : Vishay |
 4A, 600V, SMPC, STD SM RECT. |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
 |
S4PJHM3_B/H | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |