Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > S4PM-M3/86A
S4PM-M3/86A

S4PM-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division

s4pm.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 4A TO277A
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Current - Average Rectified (Io): 4A
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+10.74 грн
3000+9.88 грн
4500+9.87 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S4PM-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE STANDARD 1000V 4A TO277A, Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: TO-277A (SMPC), Current - Average Rectified (Io): 4A.

Інші пропозиції S4PM-M3/86A за ціною від 14.56 грн до 33.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
S4PM-M3/86A S4PM-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division s4pm.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 4A TO277A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Current - Average Rectified (Io): 4A
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.32 грн
12+26.94 грн
100+20.27 грн
500+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S4PM-M3/86A S4PM-M3/86A Vishay General Semiconductor s4pm.pdf Rectifiers 4.0 Amp 1000 Volt
на замовлення 1542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S4PM-M3/86A S4PM-M3/86A Vishay Semiconductors s4pm.pdf Rectifiers 4.0 Amp 1000 Volt
на замовлення 3776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S4PM-M3/86A s4pm.pdf
S4PM-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 4A TO277A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Current - Average Rectified (Io): 4A
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.32 грн
12+26.94 грн
100+20.27 грн
500+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S4PM-M3/86A s4pm.pdf
S4PM-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 4.0 Amp 1000 Volt
на замовлення 1542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S4PM-M3/86A s4pm.pdf
S4PM-M3/86A
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers 4.0 Amp 1000 Volt
на замовлення 3776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.