S5JHE3_A/I Vishay General Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.95 грн |
| 12+ | 26.92 грн |
| 100+ | 19.58 грн |
| 500+ | 14.98 грн |
| 1000+ | 13.38 грн |
| 3500+ | 10.52 грн |
| 7000+ | 9.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S5JHE3_A/I Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB, Qualification: AEC-Q101, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 5 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Grade: Automotive, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: DO-214AB (SMC), Current - Average Rectified (Io): 5A, Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-214AB, SMC, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції S5JHE3_A/I за ціною від 13.08 грн до 38.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
S5JHE3_A/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214ABPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AB, SMC Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|