
S70GL02GS11FHI020 Infineon Technologies

Description: IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11)
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Access Time: 110 ns
Memory Organization: 128M x 16
DigiKey Programmable: Verified
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1916.62 грн |
10+ | 1708.63 грн |
25+ | 1654.25 грн |
50+ | 1514.15 грн |
180+ | 1444.67 грн |
360+ | 1407.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S70GL02GS11FHI020 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S70GL02GS11FHI020 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 2GB, 128M x 16 Bit, parallel, 110ns, FBGA-64, tariffCode: 85423275, Bauform - Speicherbaustein: FBGA, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 2Gbit, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: 110ns, Versorgungsspannung, nom.: -, IC-Schnittstelle: Parallel, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, Taktfrequenz: -, euEccn: NLR, Speicherkonfiguration Flash: 128M x 16 Bit, Speichergröße: 2Gbit, Anzahl der Pins: 64Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 128M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції S70GL02GS11FHI020 за ціною від 1354.52 грн до 3295.48 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
S70GL02GS11FHI020 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85423275 Bauform - Speicherbaustein: FBGA IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 2Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 110ns Versorgungsspannung, nom.: - IC-Schnittstelle: Parallel Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: - euEccn: NLR Speicherkonfiguration Flash: 128M x 16 Bit Speichergröße: 2Gbit Anzahl der Pins: 64Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 128M x 16 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
S70GL02GS11FHI020 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
S70GL02GS11FHI020 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 249 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
S70GL02GS11FHI020 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
S70GL02GS11FHI020 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
S70GL02GS11FHI020 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
S70GL02GS11FHI020 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |