S70GL02GT12FHIV10 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 256M x 8, 128M x 16
Access Time: 120 ns
Memory Interface: Parallel
Part Status: Active
Supplier Device Package: 64-FBGA (11x13)
Memory Format: FLASH
Technology: FLASH - NOR
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 2Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-LBGA
Packaging: Tray
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1972.05 грн |
| 10+ | 1757.21 грн |
| 25+ | 1701.19 грн |
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Технічний опис S70GL02GT12FHIV10 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S70GL02GT12FHIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 2GB, 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit, parallel, 120ns, FBGA-64, tariffCode: 85423275, Bauform - Speicherbaustein: FBGA, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 2Gbit, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: 120ns, Versorgungsspannung, nom.: -, IC-Schnittstelle: Parallel, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, Taktfrequenz: -, euEccn: NLR, Speicherkonfiguration Flash: 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit, Speichergröße: 2Gbit, Anzahl der Pins: 64Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: Parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції S70GL02GT12FHIV10
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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S70GL02GT12FHIV10 | Infineon Technologies |
NOR Flash PNOR |
на замовлення 154 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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S70GL02GT12FHIV10 | INFINEON |
Description: INFINEON - S70GL02GT12FHIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 2GB, 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit, parallel, 120ns, FBGA-64 tariffCode: 85423275 Bauform - Speicherbaustein: FBGA IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 2Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 120ns Versorgungsspannung, nom.: - IC-Schnittstelle: Parallel Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: - euEccn: NLR Speicherkonfiguration Flash: 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit Speichergröße: 2Gbit Anzahl der Pins: 64Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| S70GL02GT12FHIV10 |
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Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash PNOR
NOR Flash PNOR
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| S70GL02GT12FHIV10 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S70GL02GT12FHIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 2GB, 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit, parallel, 120ns, FBGA-64
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 120ns
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit
Speichergröße: 2Gbit
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - S70GL02GT12FHIV10 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 2GB, 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit, parallel, 120ns, FBGA-64
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 120ns
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: -
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit
Speichergröße: 2Gbit
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)