S70KL1282GABHV020 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PSRAM 128MBIT HYPERBUS 24FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 24-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Memory Interface: HyperBus
Access Time: 35 ns
Memory Organization: 16M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 541.66 грн |
| 10+ | 485.71 грн |
| 25+ | 471.04 грн |
| 50+ | 431.60 грн |
| 100+ | 421.19 грн |
| 338+ | 403.11 грн |
| 676+ | 386.55 грн |
| 1014+ | 380.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S70KL1282GABHV020 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S70KL1282GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 128MB, 16M x 8 Bit, 200MHz, FBGA, 24 Pins, tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: HyperRAM, euEccn: NLR, Bauform - Speicherbaustein: FBGA, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DRAM-Dichte: 128Mbit, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 128Mbit, Zugriffszeit: 35ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Taktfrequenz: 200MHz, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit, Speicherkonfiguration DRAM: 16M x 8 Bit.
Інші пропозиції S70KL1282GABHV020 за ціною від 358.01 грн до 436.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
S70KL1282GABHV020 | INFINEON |
Description: INFINEON - S70KL1282GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 128MB, 16M x 8 Bit, 200MHz, FBGA, 24 Pins tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: HyperRAM euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: FBGA rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DRAM-Dichte: 128Mbit isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 128Mbit Zugriffszeit: 35ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Taktfrequenz: 200MHz SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit Speicherkonfiguration DRAM: 16M x 8 Bit |
на замовлення 116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| S70KL1282GABHV020 | Infineon Technologies |
PSRAM Sync Single Port 128M-bit 16M x 8 35ns 24-Pin BGA Tray |
на замовлення 4558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| S70KL1282GABHV020 | Infineon Technologies |
PSRAM Sync Single Port 128M-bit 16M x 8 35ns 24-Pin BGA Tray |
на замовлення 423 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| S70KL1282GABHV020 | Infineon Technologies |
DRAM SPCM |
на замовлення 3787 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| S70KL1282GABHV020 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S70KL1282GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 128MB, 16M x 8 Bit, 200MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DRAM-Dichte: 128Mbit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 128Mbit
Zugriffszeit: 35ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Taktfrequenz: 200MHz
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
Speicherkonfiguration DRAM: 16M x 8 Bit
Description: INFINEON - S70KL1282GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 128MB, 16M x 8 Bit, 200MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DRAM-Dichte: 128Mbit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 128Mbit
Zugriffszeit: 35ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Taktfrequenz: 200MHz
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
Speicherkonfiguration DRAM: 16M x 8 Bit
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| S70KL1282GABHV020 |
|
Виробник: Infineon Technologies
PSRAM Sync Single Port 128M-bit 16M x 8 35ns 24-Pin BGA Tray
PSRAM Sync Single Port 128M-bit 16M x 8 35ns 24-Pin BGA Tray
на замовлення 4558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 82+ | 436.09 грн |
| 100+ | 414.88 грн |
| 500+ | 392.48 грн |
| 1000+ | 358.01 грн |
| S70KL1282GABHV020 |
|
Виробник: Infineon Technologies
PSRAM Sync Single Port 128M-bit 16M x 8 35ns 24-Pin BGA Tray
PSRAM Sync Single Port 128M-bit 16M x 8 35ns 24-Pin BGA Tray
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 82+ | 436.09 грн |
| 100+ | 414.88 грн |
| S70KL1282GABHV020 |
|
Виробник: Infineon Technologies
DRAM SPCM
DRAM SPCM
на замовлення 3787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)