S70KL1282GABHV020 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PSRAM 128MBIT HYPERBUS 24FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 24-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Memory Interface: HyperBus
Access Time: 35 ns
Memory Organization: 16M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 487.39 грн |
| 10+ | 437.10 грн |
| 25+ | 423.96 грн |
| 50+ | 388.51 грн |
| 100+ | 379.17 грн |
| 338+ | 362.93 грн |
| 676+ | 348.04 грн |
| 1014+ | 342.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S70KL1282GABHV020 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S70KL1282GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 128MB, 16M x 8 Bit, 200MHz, FBGA, 24 Pins, tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: HyperRAM, Bauform - Speicherbaustein: FBGA, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DRAM-Dichte: 128Mbit, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 128Mbit, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 35ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Taktfrequenz: 200MHz, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit, Speicherkonfiguration DRAM: 16M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції S70KL1282GABHV020 за ціною від 342.14 грн до 512.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
S70KL1282GABHV020 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - S70KL1282GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 128MB, 16M x 8 Bit, 200MHz, FBGA, 24 Pins tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: HyperRAM Bauform - Speicherbaustein: FBGA rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DRAM-Dichte: 128Mbit isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 128Mbit usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 35ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Taktfrequenz: 200MHz euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit Speicherkonfiguration DRAM: 16M x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| S70KL1282GABHV020 | Виробник : Infineon Technologies |
PSRAM Sync Single Port 128M-bit 16M x 8 35ns 24-Pin BGA Tray |
на замовлення 4558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| S70KL1282GABHV020 | Виробник : Infineon Technologies |
PSRAM Sync Single Port 128M-bit 16M x 8 35ns 24-Pin BGA Tray |
на замовлення 423 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| S70KL1282GABHV020 | Виробник : Infineon Technologies |
DRAM SPCM |
на замовлення 4252 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| S70KL1282GABHV020 | Виробник : Infineon Technologies |
PSRAM Sync Single Port 128M-bit 16M x 8 35ns 24-Pin BGA Tray |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| S70KL1282GABHV020 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷105°C Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DRAM Memory: 128Mb DRAM Clock frequency: 200MHz Access time: 35ns Case: FBGA24 Mounting: SMD Operating temperature: -40...105°C Kind of package: in-tray Supply voltage: 2.7...3.6V DC Interface: HyperBus |
товару немає в наявності |