S70KS1282GABHV020 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IC PSRAM 128MBIT HYPERBUS 24FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 24-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Memory Interface: HyperBus
Access Time: 35 ns
Memory Organization: 16M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 375.22 грн |
| 10+ | 336.45 грн |
| 25+ | 326.37 грн |
| 50+ | 299.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S70KS1282GABHV020 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S70KS1282GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 128MB, 16M x 8 Bit, 200MHz, FBGA, 24 Pins, tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: HyperRAM, Bauform - Speicherbaustein: FBGA, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, DRAM-Dichte: 128Mbit, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 128Mbit, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 35ns, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Taktfrequenz: 200MHz, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit, Speicherkonfiguration DRAM: 16M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції S70KS1282GABHV020 за ціною від 259.79 грн до 421.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
S70KS1282GABHV020 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - S70KS1282GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 128MB, 16M x 8 Bit, 200MHz, FBGA, 24 Pins tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: HyperRAM Bauform - Speicherbaustein: FBGA IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false DRAM-Dichte: 128Mbit IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 128Mbit usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 35ns Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Taktfrequenz: 200MHz euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit Speicherkonfiguration DRAM: 16M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| S70KS1282GABHV020 | Виробник : Infineon Technologies |
DRAM SPCM |
на замовлення 1325 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| S70KS1282GABHV020 | Виробник : Infineon Technologies |
PSRAM Sync Single Port 128M-bit 16M x 8 35ns 24-Pin BGA Tray |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| S70KS1282GABHV020 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
S70KS1282GABHV020 DRAM memories - integrated circuits |
товару немає в наявності |