S70KS1282GABHV020 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PSRAM 128MBIT HYPERBUS 24FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 24-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Memory Interface: HyperBus
Access Time: 35 ns
Memory Organization: 16M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 493.99 грн |
| 10+ | 443.02 грн |
| 25+ | 429.70 грн |
| 50+ | 393.77 грн |
| 100+ | 384.31 грн |
| 338+ | 367.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S70KS1282GABHV020 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S70KS1282GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 128MB, 16M x 8 Bit, 200MHz, FBGA, 24 Pins, tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: HyperRAM, Bauform - Speicherbaustein: FBGA, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DRAM-Dichte: 128Mbit, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 128Mbit, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 35ns, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Taktfrequenz: 200MHz, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit, Speicherkonfiguration DRAM: 16M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції S70KS1282GABHV020 за ціною від 356.64 грн до 555.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
S70KS1282GABHV020 | INFINEON |
Description: INFINEON - S70KS1282GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 128MB, 16M x 8 Bit, 200MHz, FBGA, 24 PinstariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: HyperRAM Bauform - Speicherbaustein: FBGA rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DRAM-Dichte: 128Mbit isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 128Mbit usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 35ns Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Taktfrequenz: 200MHz euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit Speicherkonfiguration DRAM: 16M x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| S70KS1282GABHV020 | Infineon Technologies |
DRAM SPCM |
на замовлення 541 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| S70KS1282GABHV020 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S70KS1282GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 128MB, 16M x 8 Bit, 200MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: HyperRAM
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DRAM-Dichte: 128Mbit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 35ns
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Taktfrequenz: 200MHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
Speicherkonfiguration DRAM: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - S70KS1282GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 128MB, 16M x 8 Bit, 200MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: HyperRAM
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DRAM-Dichte: 128Mbit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 35ns
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Taktfrequenz: 200MHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
Speicherkonfiguration DRAM: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 555.05 грн |
| 10+ | 517.22 грн |
| 25+ | 501.60 грн |
| 50+ | 439.81 грн |
| 100+ | 398.23 грн |
| S70KS1282GABHV020 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
DRAM SPCM
DRAM SPCM
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 503.25 грн |
| 10+ | 462.82 грн |
| 25+ | 390.47 грн |
| 50+ | 379.90 грн |
| 100+ | 370.74 грн |
| 250+ | 361.58 грн |
| 338+ | 356.64 грн |



