Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > S80KS2562GABHA020
S80KS2562GABHA020

S80KS2562GABHA020 Infineon Technologies

Infineon-S80KS2562_1.8_V_256-Mb_HyperBus_Interface_HyperRAM_(Self-Refresh_DRAM)-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7dc4255f017dd82db3d308ae
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PSRAM 256MBIT HYPERBUS 24FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 24-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Memory Interface: HyperBus
Access Time: 35 ns
Memory Organization: 32M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+725.09 грн
10+649.01 грн
25+629.15 грн
50+576.34 грн
100+562.32 грн
338+538.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S80KS2562GABHA020 Infineon Technologies

Description: INFINEON - S80KS2562GABHA020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: HyperRAM, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 256Mbit, MSL: -, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit.

Інші пропозиції S80KS2562GABHA020 за ціною від 511.41 грн до 624.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
S80KS2562GABHA020 S80KS2562GABHA020 INFINEON 3681666.pdf Description: INFINEON - S80KS2562GABHA020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2562GABHA020 Infineon Technologies hyperbusinterfacehyperramselfrefreshdramdatasheetv0100en.pdf 256 Mb Self-Refresh PSRAM Automotive AEC-Q100
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+624.01 грн
100+592.40 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2562GABHA020 Infineon Technologies hyperbusinterfacehyperramselfrefreshdramdatasheetv0100en.pdf 256 Mb Self-Refresh PSRAM Automotive AEC-Q100
на замовлення 1563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+624.01 грн
100+592.40 грн
500+561.96 грн
1000+511.41 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2562GABHA020 Infineon Technologies hyperbusinterfacehyperramselfrefreshdramdatasheetv0100en.pdf 256 Mb Self-Refresh PSRAM Automotive AEC-Q100
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+624.01 грн
100+592.40 грн
500+561.96 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2562GABHA020 3681666.pdf
S80KS2562GABHA020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS2562GABHA020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2562GABHA020 hyperbusinterfacehyperramselfrefreshdramdatasheetv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
256 Mb Self-Refresh PSRAM Automotive AEC-Q100
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
57+624.01 грн
100+592.40 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2562GABHA020 hyperbusinterfacehyperramselfrefreshdramdatasheetv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
256 Mb Self-Refresh PSRAM Automotive AEC-Q100
на замовлення 1563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
57+624.01 грн
100+592.40 грн
500+561.96 грн
1000+511.41 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2562GABHA020 hyperbusinterfacehyperramselfrefreshdramdatasheetv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
256 Mb Self-Refresh PSRAM Automotive AEC-Q100
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
57+624.01 грн
100+592.40 грн
500+561.96 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.