S80KS2562GABHI020 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - S80KS2562GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 487.41 грн |
| 10+ | 453.53 грн |
| 25+ | 440.49 грн |
| 50+ | 366.27 грн |
| 100+ | 330.65 грн |
| 250+ | 316.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S80KS2562GABHI020 INFINEON
Description: INFINEON - S80KS2562GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: HyperRAM, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 256Mbit, MSL: -, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції S80KS2562GABHI020 за ціною від 326.55 грн до 641.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
S80KS2562GABHI020 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC PSRAM 256MBIT HYPERBUS 24FBGAPackaging: Tray Package / Case: 24-VBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V Technology: PSRAM (Pseudo SRAM) Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: PSRAM Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 35ns Memory Interface: HyperBus Access Time: 35 ns Memory Organization: 32M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| S80KS2562GABHI020 | Виробник : Infineon Technologies |
256 Mb Self-Refresh Dynamic RAM |
на замовлення 338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| S80KS2562GABHI020 | Виробник : Infineon Technologies |
256 Mb Self-Refresh Dynamic RAM |
на замовлення 338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| S80KS2562GABHI020 | Виробник : Infineon Technologies |
256 Mb Self-Refresh Dynamic RAM |
на замовлення 370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| S80KS2562GABHI020 | Виробник : Infineon Technologies |
DRAM SPCM |
на замовлення 581 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| S80KS2562GABHI020 | Виробник : Infineon Technologies |
256 Mb Self-Refresh Dynamic RAM |
на замовлення 676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| S80KS2562GABHI020 | Виробник : Infineon Technologies |
256 Mb Self-Refresh Dynamic RAM |
на замовлення 338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| S80KS2562GABHI020 | Виробник : Infineon Technologies |
256 Mb Self-Refresh Dynamic RAM |
товару немає в наявності |