S80KS2563GABHA020 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IC PSRAM 256MBIT SPI/OCTL 24FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 24-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Memory Interface: SPI - Octal I/O
Access Time: 35 ns
Memory Organization: 32M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 638.91 грн |
| 10+ | 571.97 грн |
| 25+ | 554.50 грн |
| 50+ | 508.01 грн |
| 100+ | 495.71 грн |
| 338+ | 474.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S80KS2563GABHA020 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S80KS2563GABHA020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: HyperRAM, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 256Mbit, MSL: -, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції S80KS2563GABHA020 за ціною від 353.81 грн до 737.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
S80KS2563GABHA020 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - S80KS2563GABHA020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s) tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: HyperRAM rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 256Mbit MSL: - usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| S80KS2563GABHA020 | Виробник : Infineon Technologies |
256 Mb Self-Refresh Dynamic RAM with Octal SPI Interface |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| S80KS2563GABHA020 | Виробник : Infineon Technologies |
DRAM SPCM |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| S80KS2563GABHA020 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷85°C; in-tray Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DRAM Memory: 256Mb DRAM Clock frequency: 200MHz Access time: 35ns Case: FBGA24 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray Supply voltage: 1.7...2V DC Interface: HyperBus |
товару немає в наявності |