Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > S80KS2563GABHA020
S80KS2563GABHA020

S80KS2563GABHA020 Infineon Technologies

Infineon-S80KS2563_1.8_V_256-Mb_Octal_xSPI_Interface_HyperRAM_(Self-Refresh_DRAM)-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7dc4255f017dd7ad739905af Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PSRAM 256MBIT SPI/OCTL 24FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 24-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Memory Interface: SPI - Octal I/O
Access Time: 35 ns
Memory Organization: 32M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+408.25 грн
10+365.31 грн
25+354.17 грн
50+324.52 грн
100+316.68 грн
338+303.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S80KS2563GABHA020 Infineon Technologies

Description: INFINEON - S80KS2563GABHA020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: HyperRAM, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 256Mbit, MSL: -, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції S80KS2563GABHA020 за ціною від 317.62 грн до 464.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
S80KS2563GABHA020 S80KS2563GABHA020 Виробник : INFINEON 3681667.pdf Description: INFINEON - S80KS2563GABHA020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+464.63 грн
10+420.89 грн
25+403.56 грн
50+355.58 грн
100+323.98 грн
250+317.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2563GABHA020 Виробник : Infineon Technologies interface_hyperram_self-refresh_dram-datasheet-v01_00-en.pdf 256 Mb Self-Refresh Dynamic RAM with Octal SPI Interface
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2563GABHA020 Виробник : Infineon Technologies interface_hyperram_self-refresh_dram-datasheet-v01_00-en.pdf 256 Mb Self-Refresh Dynamic RAM with Octal SPI Interface
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2563GABHA020 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S80KS2563_1.8_V_256-Mb_Octal_xSPI_Interface_HyperRAM_(Self-Refresh_DRAM)-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7dc4255f017dd7ad739905af S80KS2563GABHA020 DRAM memories - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2563GABHA020 Виробник : Infineon Technologies Infineon_S80KS2563_1_8_V_256_Mb_Octal_xSPI_Interfa-3363707.pdf DRAM SPCM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.