S80KS2563GABHI020

S80KS2563GABHI020 Infineon Technologies


eon-S80KS2563_1.8_V_256-Mb_Octal_xSPI_Interface_HyperRAM_(Self-Refresh_DRAM)-DataSheet-v01_00-EN.pdf Виробник: Infineon Technologies
DRAM SPCM
на замовлення 74 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+467.72 грн
10+429.72 грн
25+362.32 грн
50+353.25 грн
100+344.93 грн
250+330.55 грн
338+316.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S80KS2563GABHI020 Infineon Technologies

Description: INFINEON - S80KS2563GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: HyperRAM, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 256Mbit, MSL: -, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції S80KS2563GABHI020 за ціною від 362.94 грн до 532.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
S80KS2563GABHI020 S80KS2563GABHI020 Виробник : Infineon Technologies download Description: IC PSRAM 256MBIT SPI/OCTL 24FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 24-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Memory Interface: SPI - Octal I/O
Access Time: 35 ns
Memory Organization: 32M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+482.76 грн
10+432.50 грн
25+419.40 грн
40+387.30 грн
80+378.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2563GABHI020 S80KS2563GABHI020 Виробник : INFINEON CYPR-S-A0013772072-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S80KS2563GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+532.89 грн
10+433.61 грн
25+431.06 грн
50+397.12 грн
100+364.39 грн
250+362.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2563GABHI020 Виробник : Infineon Technologies interface_hyperram_self-refresh_dram-datasheet-v01_00-en.pdf DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 32Mx8 1.8V 24-Pin BGA Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2563GABHI020 Виробник : Infineon Technologies interface_hyperram_self-refresh_dram-datasheet-v01_00-en.pdf 256 Mb Self-Refresh Dynamic RAM with Octal SPI Interface
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2563GABHI020 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES download S80KS2563GABHI020 DRAM memories - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.