S80KS2563GABHI020

S80KS2563GABHI020 Infineon Technologies


eon-S80KS2563_1.8_V_256-Mb_Octal_xSPI_Interface_HyperRAM_(Self-Refresh_DRAM)-DataSheet-v01_00-EN.pdf Виробник: Infineon Technologies
DRAM SPCM
на замовлення 74 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+478.90 грн
10+439.99 грн
25+370.98 грн
50+361.69 грн
100+353.17 грн
250+338.45 грн
338+324.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S80KS2563GABHI020 Infineon Technologies

Description: INFINEON - S80KS2563GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: HyperRAM, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 256Mbit, MSL: -, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції S80KS2563GABHI020 за ціною від 371.61 грн до 545.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
S80KS2563GABHI020 S80KS2563GABHI020 Виробник : Infineon Technologies download Description: IC PSRAM 256MBIT SPI/OCTL 24FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 24-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Memory Interface: SPI - Octal I/O
Access Time: 35 ns
Memory Organization: 32M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+498.49 грн
10+446.54 грн
25+433.07 грн
50+396.85 грн
100+387.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2563GABHI020 S80KS2563GABHI020 Виробник : INFINEON CYPR-S-A0013772072-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S80KS2563GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+545.62 грн
10+443.97 грн
25+441.36 грн
50+406.61 грн
100+373.10 грн
250+371.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2563GABHI020 Виробник : Infineon Technologies interface_hyperram_self-refresh_dram-datasheet-v01_00-en.pdf DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 32Mx8 1.8V 24-Pin BGA Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2563GABHI020 Виробник : Infineon Technologies interface_hyperram_self-refresh_dram-datasheet-v01_00-en.pdf 256 Mb Self-Refresh Dynamic RAM with Octal SPI Interface
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.