S80KS2563GABHI020 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PSRAM 256MBIT SPI/OCTL 24FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 24-VBGA
Packaging: Tray
Memory Organization: 32M x 8
Access Time: 35 ns
Memory Interface: SPI - Octal I/O
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Memory Format: PSRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 457.99 грн |
| 10+ | 410.27 грн |
| 25+ | 397.89 грн |
| 50+ | 364.61 грн |
| 100+ | 355.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S80KS2563GABHI020 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S80KS2563GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: HyperRAM, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 256Mbit, MSL: -, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції S80KS2563GABHI020
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
S80KS2563GABHI020 | Infineon Technologies |
DRAM SPCM |
на замовлення 132 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
S80KS2563GABHI020 | INFINEON |
Description: INFINEON - S80KS2563GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s) tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: HyperRAM rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 256Mbit MSL: - usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| S80KS2563GABHI020 |
|
Виробник: Infineon Technologies
DRAM SPCM
DRAM SPCM
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| S80KS2563GABHI020 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS2563GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - S80KS2563GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)