S80KS2563GABHV020 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PSRAM 256MBIT SPI/OCTL 24FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 24-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Memory Interface: SPI - Octal I/O
Access Time: 35 ns
Memory Organization: 32M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 654.27 грн |
| 10+ | 586.01 грн |
| 25+ | 568.10 грн |
| 50+ | 520.48 грн |
| 100+ | 507.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S80KS2563GABHV020 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S80KS2563GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: HyperRAM, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 256Mbit, MSL: -, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit.
Інші пропозиції S80KS2563GABHV020 за ціною від 556.11 грн до 811.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
S80KS2563GABHV020 | INFINEON |
Description: INFINEON - S80KS2563GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s) tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: HyperRAM euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 256Mbit MSL: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit |
на замовлення 323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| S80KS2563GABHV020 | Infineon Technologies |
DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 32Mx8 1.8V 24-Pin FBGA Tray |
на замовлення 338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| S80KS2563GABHV020 | Infineon Technologies |
DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 32Mx8 1.8V 24-Pin FBGA Tray |
на замовлення 332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| S80KS2563GABHV020 | Infineon Technologies |
DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 32Mx8 1.8V 24-Pin FBGA Tray |
на замовлення 338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| S80KS2563GABHV020 | Infineon Technologies |
DRAM SPCM |
на замовлення 131 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| S80KS2563GABHV020 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS2563GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
Description: INFINEON - S80KS2563GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| S80KS2563GABHV020 |
|
Виробник: Infineon Technologies
DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 32Mx8 1.8V 24-Pin FBGA Tray
DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 32Mx8 1.8V 24-Pin FBGA Tray
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 60+ | 585.38 грн |
| 100+ | 556.11 грн |
| S80KS2563GABHV020 |
|
Виробник: Infineon Technologies
DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 32Mx8 1.8V 24-Pin FBGA Tray
DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 32Mx8 1.8V 24-Pin FBGA Tray
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 60+ | 585.38 грн |
| 100+ | 556.11 грн |
| S80KS2563GABHV020 |
|
Виробник: Infineon Technologies
DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 32Mx8 1.8V 24-Pin FBGA Tray
DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 32Mx8 1.8V 24-Pin FBGA Tray
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 811.40 грн |
| 19+ | 754.39 грн |
| 25+ | 731.43 грн |
| 50+ | 688.58 грн |
| 100+ | 622.16 грн |
| S80KS2563GABHV020 |
|
Виробник: Infineon Technologies
DRAM SPCM
DRAM SPCM
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)