S80KS2564GACHI040 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IC PSRAM 256MBIT HYPERBUS 49FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 49-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 49-FBGA (8x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Memory Interface: HyperBus
Access Time: 35 ns
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 501.20 грн |
| 10+ | 449.07 грн |
| 25+ | 435.47 грн |
| 40+ | 402.12 грн |
| 80+ | 392.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S80KS2564GACHI040 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S80KS2564GACHI040 - DRAM, DDR, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 200 MHz, FBGA, 49 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: DDR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 256Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 49Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції S80KS2564GACHI040 за ціною від 589.17 грн до 690.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
S80KS2564GACHI040 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - S80KS2564GACHI040 - DRAM, DDR, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 200 MHz, FBGA, 49 Pin(s) tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: DDR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 256Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 49Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| S80KS2564GACHI040 | Виробник : Infineon Technologies |
PSRAM Sync Single Port 256M-bit 16M x 16 35ns 49-Pin FBGA Tray |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| S80KS2564GACHI040 | Виробник : Infineon Technologies |
PSRAM Sync Single Port 256M-bit 16M x 16 35ns 49-Pin FBGA Tray |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| S80KS2564GACHI040 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷85°C; in-tray Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DRAM Memory: 256Mb DRAM Clock frequency: 200MHz Access time: 35ns Case: FBGA24 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray Supply voltage: 1.7...2V DC Interface: HyperBus кількість в упаковці: 260 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
S80KS2564GACHI040 | Виробник : Infineon Technologies |
DRAM SPCM |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| S80KS2564GACHI040 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷85°C; in-tray Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DRAM Memory: 256Mb DRAM Clock frequency: 200MHz Access time: 35ns Case: FBGA24 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray Supply voltage: 1.7...2V DC Interface: HyperBus |
товару немає в наявності |