на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 533.11 грн |
| 10+ | 488.09 грн |
| 25+ | 404.29 грн |
| 50+ | 397.32 грн |
| 100+ | 389.57 грн |
| 260+ | 374.08 грн |
| 520+ | 369.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S80KS2564GACHI040 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S80KS2564GACHI040 - DRAM, DDR, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 200 MHz, FBGA, 49 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: DDR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 256Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 49Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції S80KS2564GACHI040 за ціною від 418.29 грн до 582.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
S80KS2564GACHI040 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IC PSRAM 256MBIT HYPERBUS 49FBGAPackaging: Tray Package / Case: 49-VBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V Technology: PSRAM (Pseudo SRAM) Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: PSRAM Supplier Device Package: 49-FBGA (8x8) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 35ns Memory Interface: HyperBus Access Time: 35 ns Memory Organization: 16M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
S80KS2564GACHI040 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - S80KS2564GACHI040 - DRAM, DDR, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 200 MHz, FBGA, 49 Pin(s) tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: DDR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 256Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 49Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| S80KS2564GACHI040 | Виробник : Infineon Technologies |
PSRAM Sync Single Port 256M-bit 16M x 16 35ns 49-Pin FBGA Tray |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| S80KS2564GACHI040 | Виробник : Infineon Technologies |
PSRAM Sync Single Port 256M-bit 16M x 16 35ns 49-Pin FBGA Tray |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| S80KS2564GACHI040 | Виробник : Infineon Technologies |
PSRAM Sync Single Port 256M-bit 16M x 16 35ns 49-Pin FBGA Tray |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| S80KS2564GACHI040 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷85°C; in-tray Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DRAM Memory: 256Mb DRAM Clock frequency: 200MHz Access time: 35ns Case: FBGA24 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray Supply voltage: 1.7...2V DC Interface: HyperBus |
товару немає в наявності |