Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > S80KS5122GABHA020
S80KS5122GABHA020

S80KS5122GABHA020 Infineon Technologies

Infineon-S80KS5122_1.8_V_512-Mbit_HyperBus_Interface_HyperRAM_(Self-Refresh_DRAM)-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7dc4255f017dd81b77c1088f Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PSRAM 512MBIT HYPERBUS 24FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 24-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Memory Interface: HyperBus
Access Time: 35 ns
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+533.99 грн
10+477.73 грн
25+463.11 грн
50+424.24 грн
100+413.90 грн
338+395.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S80KS5122GABHA020 Infineon Technologies

Description: INFINEON - S80KS5122GABHA020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: HyperRAM, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 512Mbit, MSL: -, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції S80KS5122GABHA020 за ціною від 388.36 грн до 673.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
S80KS5122GABHA020 S80KS5122GABHA020 Виробник : INFINEON 3681668.pdf Description: INFINEON - S80KS5122GABHA020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+580.17 грн
10+539.74 грн
25+522.40 грн
50+436.04 грн
100+393.31 грн
250+388.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS5122GABHA020 Виробник : Infineon Technologies s80ks5122.pdf PSRAM Sync Single Port 512M-bit 64M x 8 35ns Tray
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
46+673.09 грн
100+645.64 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS5122GABHA020 Виробник : Infineon Technologies s80ks5122.pdf PSRAM Sync Single Port 512M-bit 64M x 8 35ns Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS5122GABHA020 Виробник : Infineon Technologies s80ks5122.pdf PSRAM Sync Single Port 512M-bit 64M x 8 35ns Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS5122GABHA020 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S80KS5122_1.8_V_512-Mbit_HyperBus_Interface_HyperRAM_(Self-Refresh_DRAM)-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7dc4255f017dd81b77c1088f S80KS5122GABHA020 DRAM memories - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS5122GABHA020 S80KS5122GABHA020 Виробник : Infineon Technologies Infineon_S80KS5122_1_8_V_512_Mbit_HyperBus_Interfa-3003300.pdf DRAM SPCM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.