S80KS5122GABHA020 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - S80KS5122GABHA020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 574.78 грн |
| 10+ | 535.59 грн |
| 25+ | 519.05 грн |
| 50+ | 432.64 грн |
| 100+ | 389.66 грн |
| 250+ | 373.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S80KS5122GABHA020 INFINEON
Description: INFINEON - S80KS5122GABHA020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: HyperRAM, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 512Mbit, MSL: -, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції S80KS5122GABHA020 за ціною від 555.38 грн до 749.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
S80KS5122GABHA020 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC PSRAM 512MBIT HYPERBUS 24FBGA Packaging: Tray Package / Case: 24-VBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V Technology: PSRAM (Pseudo SRAM) Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: PSRAM Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 35ns Memory Interface: HyperBus Access Time: 35 ns Memory Organization: 64M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| S80KS5122GABHA020 | Виробник : Infineon Technologies |
PSRAM Sync Single Port 512M-bit 64M x 8 35ns 24-Pin FBGA Tray |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| S80KS5122GABHA020 | Виробник : Infineon Technologies |
PSRAM Sync Single Port 512M-bit 64M x 8 35ns 24-Pin FBGA Tray |
на замовлення 871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| S80KS5122GABHA020 | Виробник : Infineon Technologies |
PSRAM Sync Single Port 512M-bit 64M x 8 35ns 24-Pin FBGA Tray |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| S80KS5122GABHA020 | Виробник : Infineon Technologies |
PSRAM Sync Single Port 512M-bit 64M x 8 35ns Tray |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
S80KS5122GABHA020 | Виробник : Infineon Technologies |
DRAM SPCM |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| S80KS5122GABHA020 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷85°C; in-tray Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DRAM Memory: 256Mb DRAM Clock frequency: 200MHz Access time: 35ns Case: FBGA24 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray Supply voltage: 1.7...2V DC Interface: HyperBus |
товару немає в наявності |