S80KS5122GABHI020 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PSRAM 512MBIT HYPERBUS 24FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 64M x 8
Access Time: 35 ns
Memory Interface: HyperBus
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Memory Format: PSRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 512Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 24-VBGA
Packaging: Tray
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 796.67 грн |
| 10+ | 712.46 грн |
| 25+ | 690.55 грн |
| 50+ | 632.54 грн |
| 100+ | 617.11 грн |
| 338+ | 590.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S80KS5122GABHI020 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S80KS5122GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: HyperRAM, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 512Mbit, MSL: -, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit.
Інші пропозиції S80KS5122GABHI020 за ціною від 650.94 грн до 650.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
S80KS5122GABHI020 | INFINEON |
Description: INFINEON - S80KS5122GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s) tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: HyperRAM euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit MSL: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit |
на замовлення 185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
 |
S80KS5122GABHI020 | Infineon Technologies |
DRAM SPCM |
на замовлення 559 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
| S80KS5122GABHI020 | Infineon Technologies |
PSRAM Sync Single Port 512M-bit 64M x 8 35ns 24-Pin BGA Tray |
на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
| S80KS5122GABHI020 | Infineon Technologies |
PSRAM Sync Single Port 512M-bit 64M x 8 35ns 24-Pin BGA Tray |
на замовлення 315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| S80KS5122GABHI020 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS5122GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
Description: INFINEON - S80KS5122GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| S80KS5122GABHI020 |
|
Виробник: Infineon Technologies
DRAM SPCM
DRAM SPCM
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| S80KS5122GABHI020 |
|
Виробник: Infineon Technologies
PSRAM Sync Single Port 512M-bit 64M x 8 35ns 24-Pin BGA Tray
PSRAM Sync Single Port 512M-bit 64M x 8 35ns 24-Pin BGA Tray
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 54+ | 650.94 грн |
| S80KS5122GABHI020 |
|
Виробник: Infineon Technologies
PSRAM Sync Single Port 512M-bit 64M x 8 35ns 24-Pin BGA Tray
PSRAM Sync Single Port 512M-bit 64M x 8 35ns 24-Pin BGA Tray
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 54+ | 650.94 грн |