S80KS5122GABHI023 Infineon Technologies


S80KS5122.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PSRAM 512MBIT HYPERBUS 24FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 64M x 8
Access Time: 35 ns
Memory Interface: HyperBus
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Memory Format: PSRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 512Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 24-VBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S80KS5122GABHI023 Infineon Technologies

Description: IC PSRAM 512MBIT HYPERBUS 24FBGA, DigiKey Programmable: Not Verified, Memory Organization: 64M x 8, Access Time: 35 ns, Memory Interface: HyperBus, Write Cycle Time - Word, Page: 35ns, Part Status: Active, Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8), Memory Format: PSRAM, Clock Frequency: 200 MHz, Technology: PSRAM (Pseudo SRAM), Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Memory Type: Volatile, Memory Size: 512Mbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 24-VBGA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції S80KS5122GABHI023

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
S80KS5122GABHI023 S80KS5122GABHI023 Infineon Technologies eon-S80KS5122_1.8_V_512-Mbit_HyperBus_Interface_HyperRAM_(Self-Refresh_DRAM)-DataSheet-v01_00-EN.pdf DRAM SPCM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS5122GABHI023 eon-S80KS5122_1.8_V_512-Mbit_HyperBus_Interface_HyperRAM_(Self-Refresh_DRAM)-DataSheet-v01_00-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
DRAM SPCM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.