Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > S80KS5122GABHV020
S80KS5122GABHV020

S80KS5122GABHV020 Infineon Technologies

S80KS5122.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PSRAM 512MBIT HYPERBUS 24FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 24-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Memory Interface: HyperBus
Access Time: 35 ns
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+858.25 грн
10+767.31 грн
25+743.71 грн
50+681.17 грн
100+664.52 грн
338+635.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S80KS5122GABHV020 Infineon Technologies

Description: INFINEON - S80KS5122GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: HyperRAM, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 512Mbit, MSL: -, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit.

Інші пропозиції S80KS5122GABHV020

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
S80KS5122GABHV020 S80KS5122GABHV020 INFINEON 3681668.pdf Description: INFINEON - S80KS5122GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS5122GABHV020 S80KS5122GABHV020 Infineon Technologies eon-S80KS5122_1.8_V_512-Mbit_HyperBus_Interface_HyperRAM_(Self-Refresh_DRAM)-DataSheet-v01_00-EN.pdf DRAM SPCM
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS5122GABHV020 3681668.pdf
S80KS5122GABHV020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS5122GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS5122GABHV020 eon-S80KS5122_1.8_V_512-Mbit_HyperBus_Interface_HyperRAM_(Self-Refresh_DRAM)-DataSheet-v01_00-EN.pdf
S80KS5122GABHV020
Виробник: Infineon Technologies
DRAM SPCM
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.