Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > S80KS5123GABHB020
S80KS5123GABHB020

S80KS5123GABHB020 Infineon Technologies

S80KS5123.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PSRAM 512MBIT SPI/OCTL 24FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 24-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Memory Interface: SPI - Octal I/O
Access Time: 35 ns
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+595.67 грн
10+532.46 грн
25+516.04 грн
50+472.68 грн
100+461.14 грн
338+441.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S80KS5123GABHB020 Infineon Technologies

Description: INFINEON - S80KS5123GABHB020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: HyperRAM, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 512Mbit, MSL: -, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції S80KS5123GABHB020 за ціною від 507.14 грн до 716.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
S80KS5123GABHB020 S80KS5123GABHB020 Виробник : INFINEON 3681669.pdf Description: INFINEON - S80KS5123GABHB020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+716.78 грн
10+677.68 грн
25+661.17 грн
50+563.93 грн
100+509.38 грн
250+507.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS5123GABHB020 Виробник : Infineon Technologies ctalxspiinterfacehyperramselfrefreshdramdatasheetv0100en.pdf 256Mb Self-Refresh Dynamic RAM
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+716.49 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS5123GABHB020 Виробник : Infineon Technologies interface_hyperram_self-refresh_dram-datasheet-v01_00-en.pdf 256Mb Self-Refresh Dynamic RAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS5123GABHB020 Виробник : Infineon Technologies ctalxspiinterfacehyperramselfrefreshdramdatasheetv0100en.pdf 256Mb Self-Refresh Dynamic RAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS5123GABHB020 S80KS5123GABHB020 Виробник : Infineon Technologies n_S80KS5123_1.8_V_512_Mbit_Octal_xSPI_Interface_HyperRAM__Self_Refresh_DRAM__DataSheet_v01_00_EN.pdf DRAM SPCM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.