Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > S80KS5123GABHB020
S80KS5123GABHB020

S80KS5123GABHB020 Infineon Technologies

S80KS5123.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PSRAM 512MBIT SPI/OCTL 24FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 24-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Memory Interface: SPI - Octal I/O
Access Time: 35 ns
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1126.12 грн
10+1006.80 грн
25+975.54 грн
50+893.42 грн
100+871.50 грн
338+833.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S80KS5123GABHB020 Infineon Technologies

Description: INFINEON - S80KS5123GABHB020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: HyperRAM, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 512Mbit, MSL: -, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit.

Інші пропозиції S80KS5123GABHB020 за ціною від 811.33 грн до 811.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
S80KS5123GABHB020 S80KS5123GABHB020 INFINEON 3681669.pdf Description: INFINEON - S80KS5123GABHB020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS5123GABHB020 Infineon Technologies ctalxspiinterfacehyperramselfrefreshdramdatasheetv0100en.pdf 256Mb Self-Refresh Dynamic RAM
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+811.33 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS5123GABHB020 3681669.pdf
S80KS5123GABHB020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS5123GABHB020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS5123GABHB020 ctalxspiinterfacehyperramselfrefreshdramdatasheetv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
256Mb Self-Refresh Dynamic RAM
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
44+811.33 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.