S80KS5123GABHI020 Infineon Technologies


download
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PSRAM 512MBIT SPI/OCTL 24FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 24-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Memory Interface: SPI - Octal I/O
Access Time: 35 ns
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 82 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+656.55 грн
10+587.64 грн
25+569.68 грн
50+521.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S80KS5123GABHI020 Infineon Technologies

Description: INFINEON - S80KS5123GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: HyperRAM, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 512Mbit, MSL: -, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції S80KS5123GABHI020 за ціною від 474.35 грн до 744.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
S80KS5123GABHI020 S80KS5123GABHI020 INFINEON 3681669.pdf Description: INFINEON - S80KS5123GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+697.31 грн
10+648.79 грн
25+628.23 грн
50+523.80 грн
100+479.28 грн
250+474.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS5123GABHI020 S80KS5123GABHI020 Infineon Technologies n_S80KS5123_1.8_V_512_Mbit_Octal_xSPI_Interface_HyperRAM_Self_Refresh_DRAM_DataSheet_v01_00_EN.pdf DRAM SPCM
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+744.18 грн
10+681.67 грн
25+587.82 грн
50+573.73 грн
100+560.34 грн
250+521.57 грн
338+501.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS5123GABHI020 3681669.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS5123GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+697.31 грн
10+648.79 грн
25+628.23 грн
50+523.80 грн
100+479.28 грн
250+474.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS5123GABHI020 n_S80KS5123_1.8_V_512_Mbit_Octal_xSPI_Interface_HyperRAM_Self_Refresh_DRAM_DataSheet_v01_00_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
DRAM SPCM
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+744.18 грн
10+681.67 грн
25+587.82 грн
50+573.73 грн
100+560.34 грн
250+521.57 грн
338+501.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.