
S80KS5123GABHM020 INFINEON

Description: INFINEON - S80KS5123GABHM020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 565.32 грн |
10+ | 549.64 грн |
25+ | 528.18 грн |
50+ | 469.76 грн |
100+ | 425.14 грн |
250+ | 415.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S80KS5123GABHM020 INFINEON
Description: INFINEON - S80KS5123GABHM020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: HyperRAM, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 512Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції S80KS5123GABHM020 за ціною від 548.17 грн до 773.75 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
S80KS5123GABHM020 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tray Package / Case: 24-VBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V Technology: PSRAM (Pseudo SRAM) Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: PSRAM Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 35ns Memory Interface: SPI - Octal I/O Access Time: 35 ns Memory Organization: 64M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
S80KS5123GABHM020 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 631 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
S80KS5123GABHM020 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
S80KS5123GABHM020 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
S80KS5123GABHM020 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
S80KS5123GABHM020 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |