S80KS5123GABHM020 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PSRAM 512MBIT SPI/OCTL 24FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 24-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Memory Interface: SPI - Octal I/O
Access Time: 35 ns
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 845.00 грн |
| 10+ | 755.43 грн |
| 25+ | 732.17 грн |
| 50+ | 670.61 грн |
| 100+ | 654.21 грн |
| 338+ | 625.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S80KS5123GABHM020 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S80KS5123GABHM020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: HyperRAM, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 512Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції S80KS5123GABHM020 за ціною від 647.27 грн до 990.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
S80KS5123GABHM020 | Виробник : Infineon Technologies |
DRAM SPCM |
на замовлення 612 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
S80KS5123GABHM020 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - S80KS5123GABHM020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s) tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: HyperRAM rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| S80KS5123GABHM020 | Виробник : Infineon Technologies |
256Mb Self-Refresh Dynamic RAM Automotive AEC-Q100 |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| S80KS5123GABHM020 | Виробник : Infineon Technologies |
256Mb Self-Refresh Dynamic RAM Automotive AEC-Q100 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| S80KS5123GABHM020 | Виробник : Infineon Technologies |
256Mb Self-Refresh Dynamic RAM Automotive AEC-Q100 |
товару немає в наявності |