S80KS5123GABHV020 Infineon Technologies


S80KS5123.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PSRAM 512MBIT SPI/OCTL 24FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 24-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Memory Interface: SPI - Octal I/O
Access Time: 35 ns
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 264 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+790.55 грн
10+707.29 грн
25+685.49 грн
50+627.93 грн
100+612.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S80KS5123GABHV020 Infineon Technologies

Description: INFINEON - S80KS5123GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: HyperRAM, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 512Mbit, MSL: -, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 200MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції S80KS5123GABHV020 за ціною від 552.58 грн до 909.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
S80KS5123GABHV020 S80KS5123GABHV020 Infineon Technologies n_S80KS5123_1.8_V_512_Mbit_Octal_xSPI_Interface_HyperRAM_Self_Refresh_DRAM_DataSheet_v01_00_EN.pdf DRAM SPCM
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+819.83 грн
10+750.57 грн
25+632.23 грн
50+616.72 грн
100+601.92 грн
250+576.55 грн
338+552.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS5123GABHV020 S80KS5123GABHV020 INFINEON 3681669.pdf Description: INFINEON - S80KS5123GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+909.46 грн
10+844.50 грн
25+818.19 грн
50+741.42 грн
100+667.47 грн
250+646.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS5123GABHV020 n_S80KS5123_1.8_V_512_Mbit_Octal_xSPI_Interface_HyperRAM_Self_Refresh_DRAM_DataSheet_v01_00_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
DRAM SPCM
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+819.83 грн
10+750.57 грн
25+632.23 грн
50+616.72 грн
100+601.92 грн
250+576.55 грн
338+552.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS5123GABHV020 3681669.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS5123GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+909.46 грн
10+844.50 грн
25+818.19 грн
50+741.42 грн
100+667.47 грн
250+646.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.