Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > S8CJ-M3/I
S8CJ-M3/I

S8CJ-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

s8cgjkm.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 79pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 985 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3500+16.28 грн
7000+14.59 грн
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S8CJ-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AB, SMC, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 4 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 79pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: DO-214AB (SMC), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 985 mV @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.

Інші пропозиції S8CJ-M3/I за ціною від 17.03 грн до 99.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
S8CJ-M3/I S8CJ-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division s8cgjkm.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 985 mV @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 79pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.56 грн
10+36.54 грн
100+25.07 грн
500+18.64 грн
1000+17.03 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S8CJ-M3/I S8CJ-M3/I Vishay Semiconductors s8cgjkm.pdf Rectifiers 8A, 600V SMC
на замовлення 45904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.39 грн
10+60.39 грн
100+35.26 грн
500+27.65 грн
1000+24.86 грн
3500+21.65 грн
7000+20.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S8CJ-M3/I s8cgjkm.pdf
S8CJ-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 985 mV @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 79pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+56.56 грн
10+36.54 грн
100+25.07 грн
500+18.64 грн
1000+17.03 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S8CJ-M3/I s8cgjkm.pdf
S8CJ-M3/I
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers 8A, 600V SMC
на замовлення 45904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+99.39 грн
10+60.39 грн
100+35.26 грн
500+27.65 грн
1000+24.86 грн
3500+21.65 грн
7000+20.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.