S8CMHM3/I Vishay General Semiconductor
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 75.52 грн |
| 10+ | 64.50 грн |
| 100+ | 38.87 грн |
| 500+ | 32.44 грн |
| 1000+ | 28.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S8CMHM3/I Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A DO214AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AB, SMC, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 4 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 79pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: DO-214AB (SMC), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 985 mV @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції S8CMHM3/I за ціною від 24.06 грн до 81.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| S8CMHM3/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A DO214ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AB, SMC Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 79pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 985 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| S8CMHM3/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A DO214AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AB, SMC Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 79pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 985 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|