SA2M-M3/61T Vishay General Semiconductor
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 36.74 грн |
14+ | 25.13 грн |
100+ | 11.04 грн |
1000+ | 6.69 грн |
1800+ | 5.52 грн |
10800+ | 4.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SA2M-M3/61T Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 11pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції SA2M-M3/61T
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
SA2M-M361T | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
SA2M-M3/61T | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
SA2M-M3/61T | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 11pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1000 V |
товару немає в наявності |