SA40CA-E3/73 Vishay Semiconductor Diodes Division
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SA40CA-E3/73 Vishay Semiconductor Diodes Division
Category: Bidirectional THT transil diodes, Description: Diode: TVS; 44.4÷49.1V; 7.8A; bidirectional; DO15; 500W; Ammo Pack, Technology: TransZorb®, Case: DO15, Mounting: THT, Kind of package: Ammo Pack, Semiconductor structure: bidirectional, Max. off-state voltage: 40V, Features of semiconductor devices: glass passivated, Leakage current: 1µA, Type of diode: TVS, Breakdown voltage: 44.4...49.1V, Max. forward impulse current: 7.8A, Peak pulse power dissipation: 500W, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SA40CA-E3/73
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SA40CA-E3/73 | Виробник : Vishay |
 TVS Diode Single Bi-Dir 40V 500W 2-Pin DO-15 Ammo |
товар відсутній |
|
 |
SA40CA-E3/73 | Виробник : VISHAY |
Category: Bidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 44.4÷49.1V; 7.8A; bidirectional; DO15; 500W; Ammo Pack Technology: TransZorb® Case: DO15 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Semiconductor structure: bidirectional Max. off-state voltage: 40V Features of semiconductor devices: glass passivated Leakage current: 1µA Type of diode: TVS Breakdown voltage: 44.4...49.1V Max. forward impulse current: 7.8A Peak pulse power dissipation: 500W кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
| SA40CA-E3/73 | Виробник : Vishay Semiconductors |
ESD Suppressors / TVS Diodes 500W 40V Bidirect |
товар відсутній |
||
 |
SA40CA-E3/73 | Виробник : Vishay General Semiconductor |
ESD Suppressors / TVS Diodes 500W 40V Bidirect |
товар відсутній |
|
|
|
SA40CA-E3/73 | Виробник : VISHAY |
Category: Bidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 44.4÷49.1V; 7.8A; bidirectional; DO15; 500W; Ammo Pack Technology: TransZorb® Case: DO15 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Semiconductor structure: bidirectional Max. off-state voltage: 40V Features of semiconductor devices: glass passivated Leakage current: 1µA Type of diode: TVS Breakdown voltage: 44.4...49.1V Max. forward impulse current: 7.8A Peak pulse power dissipation: 500W |
товар відсутній |