Продукція > VISHAY > SA5.0CA-E3/73
SA5.0CA-E3/73

SA5.0CA-E3/73 Vishay


sa5a.pdf Виробник: Vishay
TVS Diode Single Bi-Dir 5V 500W 2-Pin DO-15 Ammo
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SA5.0CA-E3/73 Vishay

Category: Bidirectional THT transil diodes, Description: Diode: TVS; 6.4÷7.07V; 54.3A; bidirectional; DO15; 500W; Ammo Pack, Type of diode: TVS, Max. off-state voltage: 5V, Breakdown voltage: 6.4...7.07V, Max. forward impulse current: 54.3A, Semiconductor structure: bidirectional, Case: DO15, Mounting: THT, Leakage current: 1.2mA, Peak pulse power dissipation: 0.5kW, Kind of package: Ammo Pack, Features of semiconductor devices: glass passivated, Technology: TransZorb®, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції SA5.0CA-E3/73

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SA5.0CA-E3/73 SA5.0CA-E3/73 Виробник : Vishay sa5a.pdf TVS Diode Single Bi-Dir 5V 500W 2-Pin DO-15 Ammo
товар відсутній
SA5.0CA-E3/73 SA5.0CA-E3/73 Виробник : VISHAY sa5a_ser.pdf Category: Bidirectional THT transil diodes
Description: Diode: TVS; 6.4÷7.07V; 54.3A; bidirectional; DO15; 500W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.4...7.07V
Max. forward impulse current: 54.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 1.2mA
Peak pulse power dissipation: 0.5kW
Kind of package: Ammo Pack
Features of semiconductor devices: glass passivated
Technology: TransZorb®
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SA5.0CA-E3/73 SA5.0CA-E3/73 Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division sa5a.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 9.2VC DO204AC
товар відсутній
SA5.0CA-E3/73 SA5.0CA-E3/73 Виробник : Vishay General Semiconductor sa5a.pdf ESD Suppressors / TVS Diodes 500W 5.0V Bidirect
товар відсутній
SA5.0CA-E3/73 SA5.0CA-E3/73 Виробник : VISHAY sa5a_ser.pdf Category: Bidirectional THT transil diodes
Description: Diode: TVS; 6.4÷7.07V; 54.3A; bidirectional; DO15; 500W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.4...7.07V
Max. forward impulse current: 54.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 1.2mA
Peak pulse power dissipation: 0.5kW
Kind of package: Ammo Pack
Features of semiconductor devices: glass passivated
Technology: TransZorb®
товар відсутній