SA60CA-E3/73

SA60CA-E3/73 Vishay General Semiconductor


sa50athrusa170ca.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor
ESD Suppressors / TVS Diodes 500W 60V Bidirect
на замовлення 1944 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+44.05 грн
10+ 37.45 грн
100+ 22.58 грн
500+ 17.65 грн
1000+ 14.38 грн
2000+ 12.85 грн
10000+ 11.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SA60CA-E3/73 Vishay General Semiconductor

Category: Bidirectional THT transil diodes, Description: Diode: TVS; 66.7÷73.7V; 5.2A; bidirectional; DO15; 500W; Ammo Pack, Type of diode: TVS, Max. off-state voltage: 60V, Breakdown voltage: 66.7...73.7V, Max. forward impulse current: 5.2A, Semiconductor structure: bidirectional, Case: DO15, Mounting: THT, Leakage current: 1µA, Peak pulse power dissipation: 0.5kW, Kind of package: Ammo Pack, Features of semiconductor devices: glass passivated, Technology: TransZorb®, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції SA60CA-E3/73

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SA60CA-E3/73 SA60CA-E3/73 Виробник : Vishay Semiconductor Diodes Division sa50athrusa170ca.pdf Description: TVS DIODE 60VWM 96.8VC DO204AC
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SA60CA-E3/73 SA60CA-E3/73 Виробник : VISHAY sa5a_ser.pdf Category: Bidirectional THT transil diodes
Description: Diode: TVS; 66.7÷73.7V; 5.2A; bidirectional; DO15; 500W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 60V
Breakdown voltage: 66.7...73.7V
Max. forward impulse current: 5.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 0.5kW
Kind of package: Ammo Pack
Features of semiconductor devices: glass passivated
Technology: TransZorb®
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SA60CA-E3/73 SA60CA-E3/73 Виробник : VISHAY sa5a_ser.pdf Category: Bidirectional THT transil diodes
Description: Diode: TVS; 66.7÷73.7V; 5.2A; bidirectional; DO15; 500W; Ammo Pack
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 60V
Breakdown voltage: 66.7...73.7V
Max. forward impulse current: 5.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO15
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 0.5kW
Kind of package: Ammo Pack
Features of semiconductor devices: glass passivated
Technology: TransZorb®
товар відсутній