
SB02-09C-TB-E onsemi

Description: DIODE SCHOTTKY 90V 200MA 3CP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 10 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 3-CP
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 45 V
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 36.52 грн |
14+ | 23.39 грн |
100+ | 15.86 грн |
500+ | 11.62 грн |
1000+ | 10.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SB02-09C-TB-E onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 90V 200MA 3CP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 10 ns, Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Supplier Device Package: 3-CP, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 45 V.
Інші пропозиції SB02-09C-TB-E
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
SB02-09C-TB-E | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 10389 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
SB02-09C-TB-E | Виробник : SANYO |
![]() |
на замовлення 15200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
SB02-09C-TB-E | Виробник : SANYO |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
SB02-09C-TB-E | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
SB02-09C-TB-E | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 10 ns Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: 3-CP Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 45 V |
товару немає в наявності |