SB80W06T-H ON Semiconductor
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SB80W06T-H ON Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 4A TP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 4A, Supplier Device Package: TP, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V.
Інші пропозиції SB80W06T-H
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SB80W06T-H | Виробник : ON Semiconductor |
 Rectifier Diode Schottky 60V 8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag |
товару немає в наявності |
|
 |
SB80W06T-H | Виробник : onsemi |
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 4A TP Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 4A Supplier Device Package: TP Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V |
товару немає в наявності |