
SBAS116LT1G onsemi

Description: DIODE STANDARD 75V 200MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 1.33 грн |
6000+ | 1.20 грн |
9000+ | 1.14 грн |
15000+ | 1.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SBAS116LT1G onsemi
Description: ONSEMI - SBAS116LT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 200 mA, 1.25 V, 3 µs, 500 mA, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOT-23, Durchlassstoßstrom: 500mA, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 1.25V, Sperrverzögerungszeit: 3µs, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 75V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції SBAS116LT1G за ціною від 1.13 грн до 31.85 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SBAS116LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 500mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 3µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 75V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 17839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SBAS116LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 18797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SBAS116LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 500mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 3µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 75V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 17839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SBAS116LT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 14245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SBAS116LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 75V; 0.2A; 3us; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 0.5A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 75V Load current: 0.2A Reverse recovery time: 3µs Semiconductor structure: single diode Capacitance: 2pF Case: SOT23 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 0.5A Leakage current: 80nA Power dissipation: 0.225W Kind of package: reel; tape Application: automotive industry кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
SBAS116LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 75V; 0.2A; 3us; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 0.5A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 75V Load current: 0.2A Reverse recovery time: 3µs Semiconductor structure: single diode Capacitance: 2pF Case: SOT23 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 0.5A Leakage current: 80nA Power dissipation: 0.225W Kind of package: reel; tape Application: automotive industry |
товару немає в наявності |