SBC807-25LT1G ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - SBC807-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 2.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SBC807-25LT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - SBC807-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції SBC807-25LT1G за ціною від 2.09 грн до 26.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SBC807-25LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SBC807-25LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 17030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SBC807-25LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Current gain: 160...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SBC807-25LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Current gain: 160...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SBC807-25LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SBC807-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SBC807-25LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 17030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SBC807-25LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 8064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SBC807-25LT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR SPCL TR |
на замовлення 8364 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SBC807-25LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SBC807-25LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SBC807-25LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SBC807-25LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |