Технічний опис SBC807-25WT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - SBC807-25WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 460mW, Bauform - Transistor: SC-70, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції SBC807-25WT1G за ціною від 3.61 грн до 18.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SBC807-25WT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 8739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SBC807-25WT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 20900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SBC807-25WT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 20900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SBC807-25WT1G | onsemi |
Description: TRANS PNP 45V 0.5A SC70-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 460 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SBC807-25WT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR PNP 45V |
на замовлення 727 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
SBC807-25WT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SBC807-25WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, SC-70, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: SC-70 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
SBC807-25WT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SBC807-25WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, SC-70, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: SC-70 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| SBC807-25WT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 8739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3598+ | 3.91 грн |
| SBC807-25WT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 20900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2534+ | 5.54 грн |
| 2665+ | 5.27 грн |
| 2804+ | 5.01 грн |
| 2965+ | 4.57 грн |
| SBC807-25WT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 20900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 78+ | 9.61 грн |
| 128+ | 5.86 грн |
| 130+ | 5.81 грн |
| 136+ | 5.35 грн |
| 250+ | 4.71 грн |
| 500+ | 4.29 грн |
| 1000+ | 4.06 грн |
| 3000+ | 3.84 грн |
| 6000+ | 3.61 грн |
| SBC807-25WT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 45V 0.5A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 460 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS PNP 45V 0.5A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 460 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 18.47 грн |
| 27+ | 11.12 грн |
| 100+ | 6.92 грн |
| 500+ | 4.78 грн |
| 1000+ | 4.23 грн |
| SBC807-25WT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR PNP 45V
Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR PNP 45V
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SBC807-25WT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBC807-25WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SBC807-25WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SBC807-25WT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBC807-25WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SBC807-25WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





