Продукція > ONSEMI > SBC817-16LT3G
SBC817-16LT3G

SBC817-16LT3G onsemi

bc817-16lt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 10000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SBC817-16LT3G onsemi

Description: ONSEMI - SBC817-16LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 100, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції SBC817-16LT3G за ціною від 1.66 грн до 13.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SBC817-16LT3G SBC817-16LT3G onsemi bc817-16lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.70 грн
41+7.56 грн
100+4.64 грн
500+3.17 грн
1000+2.78 грн
2000+2.45 грн
5000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC817-16LT3G SBC817-16LT3G onsemi bc817-16lt1-d.pdf Digital Transistors SS GP XSTR SPCL TR
на замовлення 32200 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
23+13.61 грн
38+8.22 грн
100+4.44 грн
500+3.24 грн
1000+2.56 грн
5000+2.11 грн
10000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC817-16LT3G SBC817-16LT3G ONSEMI ONSM-S-A0013684650-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SBC817-16LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC817-16LT3G bc817-16lt1-d.pdf
SBC817-16LT3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.70 грн
41+7.56 грн
100+4.64 грн
500+3.17 грн
1000+2.78 грн
2000+2.45 грн
5000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC817-16LT3G bc817-16lt1-d.pdf
SBC817-16LT3G
Виробник: onsemi
Digital Transistors SS GP XSTR SPCL TR
на замовлення 32200 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+13.61 грн
38+8.22 грн
100+4.44 грн
500+3.24 грн
1000+2.56 грн
5000+2.11 грн
10000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC817-16LT3G ONSM-S-A0013684650-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SBC817-16LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBC817-16LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.