SBC846BDW1T1G

SBC846BDW1T1G ON Semiconductor


bc846bdw1t1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 380mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SBC846BDW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - SBC846BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 380mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SBC846BDW1T1G за ціною від 1.53 грн до 17.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SBC846BDW1T1G SBC846BDW1T1G Виробник : onsemi bc846bdw1t1-d.pdf Description: TRANS 2NPN 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.58 грн
6000+3.09 грн
9000+2.91 грн
15000+2.54 грн
21000+2.42 грн
30000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BDW1T1G SBC846BDW1T1G Виробник : ONSEMI BC84xXDW1Tx.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
на замовлення 6140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
56+7.43 грн
90+4.29 грн
112+3.43 грн
153+2.51 грн
500+1.82 грн
539+1.67 грн
1000+1.64 грн
1479+1.58 грн
3000+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BDW1T1G SBC846BDW1T1G Виробник : ONSEMI BC84xXDW1Tx.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
34+8.91 грн
54+5.35 грн
67+4.12 грн
100+3.01 грн
500+2.19 грн
539+2.00 грн
1000+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BDW1T1G SBC846BDW1T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013184382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SBC846BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 37775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.38 грн
116+7.16 грн
500+5.63 грн
1500+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BDW1T1G SBC846BDW1T1G Виробник : onsemi BC846BDW1T1_D-1802812.pdf Bipolar Transistors - BJT SS DUAL NP XSTR GP
на замовлення 436570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.90 грн
37+9.39 грн
100+4.19 грн
1000+3.75 грн
3000+3.16 грн
9000+2.65 грн
24000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BDW1T1G SBC846BDW1T1G Виробник : onsemi bc846bdw1t1-d.pdf Description: TRANS 2NPN 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 50479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.51 грн
30+10.35 грн
100+6.41 грн
500+4.42 грн
1000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BDW1T1G SBC846BDW1T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013184382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SBC846BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 37775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
47+17.58 грн
67+12.38 грн
116+7.16 грн
500+5.63 грн
1500+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.