Продукція > ONSEMI > SBC846BDW1T1G
SBC846BDW1T1G

SBC846BDW1T1G onsemi

bc846bdw1t1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2NPN 65V 100MA SC88/SC70
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.47 грн
6000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SBC846BDW1T1G onsemi

Description: ONSEMI - SBC846BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung, PNP: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 380mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA.

Інші пропозиції SBC846BDW1T1G за ціною від 3.32 грн до 41.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SBC846BDW1T1G SBC846BDW1T1G ONSEMI BC84xXDW1Tx.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
на замовлення 563 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+10.94 грн
53+8.13 грн
61+7.03 грн
85+5.03 грн
100+4.38 грн
500+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BDW1T1G SBC846BDW1T1G onsemi bc846bdw1t1-d.pdf Description: TRANS 2NPN 65V 100MA SC88/SC70
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.20 грн
29+10.59 грн
100+6.58 грн
500+4.53 грн
1000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BDW1T1G SBC846BDW1T1G ON Semiconductor bc846bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 380mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 7009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.24 грн
25+30.69 грн
100+17.52 грн
250+16.05 грн
500+12.67 грн
1000+10.18 грн
3000+8.52 грн
6000+5.72 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BDW1T1G SBC846BDW1T1G onsemi bc846bdw1t1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS DUAL NP XSTR GP
на замовлення 39020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BDW1T1G SBC846BDW1T1G ONSEMI ONSM-S-A0013184382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SBC846BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
на замовлення 19015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BDW1T1G SBC846BDW1T1G ONSEMI ONSM-S-A0013184382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SBC846BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
на замовлення 19015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BDW1T1G BC84xXDW1Tx.PDF
SBC846BDW1T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
на замовлення 563 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+10.94 грн
53+8.13 грн
61+7.03 грн
85+5.03 грн
100+4.38 грн
500+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BDW1T1G bc846bdw1t1-d.pdf
SBC846BDW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2NPN 65V 100MA SC88/SC70
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+18.20 грн
29+10.59 грн
100+6.58 грн
500+4.53 грн
1000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BDW1T1G bc846bdw1t1-d.pdf
SBC846BDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 380mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 7009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+41.24 грн
25+30.69 грн
100+17.52 грн
250+16.05 грн
500+12.67 грн
1000+10.18 грн
3000+8.52 грн
6000+5.72 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BDW1T1G bc846bdw1t1-d.pdf
SBC846BDW1T1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS DUAL NP XSTR GP
на замовлення 39020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BDW1T1G ONSM-S-A0013184382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SBC846BDW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBC846BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
на замовлення 19015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BDW1T1G ONSM-S-A0013184382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SBC846BDW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBC846BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
на замовлення 19015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.