Продукція > ONSEMI > SBC846BDW1T1G
SBC846BDW1T1G

SBC846BDW1T1G onsemi

bc846bdw1t1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2NPN 65V 100MA SC88/SC70
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.82 грн
6000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SBC846BDW1T1G onsemi

Description: ONSEMI - SBC846BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung, PNP: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 380mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA.

Інші пропозиції SBC846BDW1T1G за ціною від 1.79 грн до 42.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SBC846BDW1T1G SBC846BDW1T1G ONSEMI BC84xXDW1Tx.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
Current gain: 200...450
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.38W
на замовлення 548 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
34+13.71 грн
44+9.68 грн
51+8.41 грн
70+6.10 грн
100+5.36 грн
500+4.13 грн
539+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BDW1T1G SBC846BDW1T1G onsemi bc846bdw1t1-d.pdf Description: TRANS 2NPN 65V 100MA SC88/SC70
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19.04 грн
28+11.00 грн
100+6.85 грн
500+4.71 грн
1000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BDW1T1G SBC846BDW1T1G onsemi bc846bdw1t1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS DUAL NP XSTR GP
на замовлення 93096 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
16+20.36 грн
26+12.03 грн
100+6.55 грн
500+4.82 грн
1000+4.29 грн
3000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BDW1T1G SBC846BDW1T1G ON Semiconductor bc846bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 380mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 7009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+42.81 грн
25+31.85 грн
100+18.18 грн
250+16.66 грн
500+13.15 грн
1000+10.56 грн
3000+8.85 грн
6000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BDW1T1G SBC846BDW1T1G ONSEMI ONSM-S-A0013184382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SBC846BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
на замовлення 19015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BDW1T1G SBC846BDW1T1G ONSEMI ONSM-S-A0013184382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SBC846BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
на замовлення 19015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BDW1T1G BC84xXDW1Tx.PDF
SBC846BDW1T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
Current gain: 200...450
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.38W
на замовлення 548 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+13.71 грн
44+9.68 грн
51+8.41 грн
70+6.10 грн
100+5.36 грн
500+4.13 грн
539+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BDW1T1G bc846bdw1t1-d.pdf
SBC846BDW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2NPN 65V 100MA SC88/SC70
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+19.04 грн
28+11.00 грн
100+6.85 грн
500+4.71 грн
1000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BDW1T1G bc846bdw1t1-d.pdf
SBC846BDW1T1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS DUAL NP XSTR GP
на замовлення 93096 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+20.36 грн
26+12.03 грн
100+6.55 грн
500+4.82 грн
1000+4.29 грн
3000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BDW1T1G bc846bdw1t1-d.pdf
SBC846BDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 380mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 7009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+42.81 грн
25+31.85 грн
100+18.18 грн
250+16.66 грн
500+13.15 грн
1000+10.56 грн
3000+8.85 грн
6000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BDW1T1G ONSM-S-A0013184382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SBC846BDW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBC846BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
на замовлення 19015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BDW1T1G ONSM-S-A0013184382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SBC846BDW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBC846BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
на замовлення 19015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.