Продукція > ONSEMI > SBC846BDW1T1G
SBC846BDW1T1G

SBC846BDW1T1G ONSEMI

BC84xXDW1Tx.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
на замовлення 565 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+10.74 грн
53+7.98 грн
61+6.90 грн
85+4.94 грн
100+4.30 грн
500+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SBC846BDW1T1G ONSEMI

Description: ONSEMI - SBC846BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 380mW, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції SBC846BDW1T1G за ціною від 5.74 грн до 41.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SBC846BDW1T1G SBC846BDW1T1G ON Semiconductor bc846bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 380mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 7009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.43 грн
25+30.83 грн
100+17.60 грн
250+16.12 грн
500+12.73 грн
1000+10.22 грн
3000+8.56 грн
6000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BDW1T1G SBC846BDW1T1G onsemi Bipolar Transistors - BJT SS DUAL NP XSTR GP
на замовлення 16281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BDW1T1G SBC846BDW1T1G ONSEMI ONSM-S-A0013184382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SBC846BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BDW1T1G SBC846BDW1T1G ONSEMI ONSM-S-A0013184382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SBC846BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BDW1T1G bc846bdw1t1-d.pdf
SBC846BDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 380mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 7009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+41.43 грн
25+30.83 грн
100+17.60 грн
250+16.12 грн
500+12.73 грн
1000+10.22 грн
3000+8.56 грн
6000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BDW1T1G
SBC846BDW1T1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS DUAL NP XSTR GP
на замовлення 16281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BDW1T1G ONSM-S-A0013184382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SBC846BDW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBC846BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BDW1T1G ONSM-S-A0013184382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SBC846BDW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBC846BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.