Продукція > ON SEMICONDUCTOR > SBC846BLT1G
SBC846BLT1G

SBC846BLT1G ON Semiconductor

bc846alt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SBC846BLT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - SBC846BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC846B, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції SBC846BLT1G за ціною від 1.42 грн до 11.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SBC846BLT1G SBC846BLT1G Виробник : ONSEMI bc846alt1-d.pdf Description: ONSEMI - SBC846BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC846B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BLT1G SBC846BLT1G Виробник : onsemi bc846alt1-d.pdf Description: TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.26 грн
6000+1.93 грн
9000+1.81 грн
15000+1.57 грн
21000+1.49 грн
30000+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BLT1G SBC846BLT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013180198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SBC846BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC846B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 35802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.94 грн
1500+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BLT1G SBC846BLT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91BF969ADE4FC0CE&compId=BC846ALT1G.PDF?ci_sign=17a225e30779fe945b7cb9d0f0054338a73015b1 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.18 грн
79+4.96 грн
117+3.33 грн
137+2.83 грн
500+2.01 грн
566+1.60 грн
1556+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BLT1G SBC846BLT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91BF969ADE4FC0CE&compId=BC846ALT1G.PDF?ci_sign=17a225e30779fe945b7cb9d0f0054338a73015b1 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
28+11.02 грн
47+6.18 грн
70+4.00 грн
100+3.40 грн
500+2.41 грн
566+1.92 грн
1556+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BLT1G SBC846BLT1G Виробник : onsemi bc846alt1-d.pdf Description: TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 32240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.27 грн
46+6.74 грн
100+4.16 грн
500+2.83 грн
1000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BLT1G SBC846BLT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013180198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SBC846BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC846B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 35802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
74+11.35 грн
131+6.41 грн
219+3.81 грн
500+2.94 грн
1500+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 74
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BLT1G SBC846BLT1G Виробник : onsemi BC846ALT1_D-1387679.pdf Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR SPCL TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.