Продукція > ON SEMICONDUCTOR > SBC846BPDW1T1G
SBC846BPDW1T1G

SBC846BPDW1T1G ON Semiconductor

bc846bpdw1t1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SBC846BPDW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - SBC846BPDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 65 V, 65 V, 100 mA, 100 mA, 380 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung, PNP: 380mW, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 380mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA.

Інші пропозиції SBC846BPDW1T1G за ціною від 4.90 грн до 54.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SBC846BPDW1T1G SBC846BPDW1T1G ON Semiconductor bc846bpdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.98 грн
9000+5.87 грн
24000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BPDW1T1G SBC846BPDW1T1G ON Semiconductor bc846bpdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.69 грн
9000+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BPDW1T1G SBC846BPDW1T1G ON Semiconductor bc846bpdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.69 грн
9000+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BPDW1T1G SBC846BPDW1T1G ONSEMI bc846bpdw1t1-d.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 65V; 0.1A
Kind of package: reel; tape
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Frequency: 100MHz
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 65V
Power dissipation: 0.38W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Application: automotive industry
Type of transistor: NPN / PNP
Current gain: 200...475
на замовлення 2783 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+15.32 грн
38+11.21 грн
46+9.12 грн
55+7.61 грн
100+6.44 грн
500+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BPDW1T1G SBC846BPDW1T1G ON Semiconductor bc846bpdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
783+18.03 грн
814+17.36 грн
1192+11.84 грн
2006+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 783 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BPDW1T1G SBC846BPDW1T1G ON Semiconductor bc846bpdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.68 грн
24+31.72 грн
26+29.85 грн
100+17.38 грн
250+15.50 грн
500+10.15 грн
1000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BPDW1T1G SBC846BPDW1T1G onsemi bc846bpdw1t1-d.pdf Description: TRANS NPN/PNP 65V 0.1A SOT363
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
378+54.15 грн
Мінімальне замовлення: 378 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BPDW1T1G SBC846BPDW1T1G onsemi bc846bpdw1t1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS SC88 DUAL GEN XSTR
на замовлення 21096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BPDW1T1G SBC846BPDW1T1G ONSEMI bc846bpdw1t1-d.pdf Description: ONSEMI - SBC846BPDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 65 V, 65 V, 100 mA, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 380mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
на замовлення 6496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BPDW1T1G SBC846BPDW1T1G ONSEMI 2140520.pdf Description: ONSEMI - SBC846BPDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 65 V, 65 V, 100 mA, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 28242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BPDW1T1G bc846bpdw1t1-d.pdf
SBC846BPDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.98 грн
9000+5.87 грн
24000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BPDW1T1G bc846bpdw1t1-d.pdf
SBC846BPDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.69 грн
9000+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BPDW1T1G bc846bpdw1t1-d.pdf
SBC846BPDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.69 грн
9000+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BPDW1T1G bc846bpdw1t1-d.pdf
SBC846BPDW1T1G
Виробник: ONSEMI
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 65V; 0.1A
Kind of package: reel; tape
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Frequency: 100MHz
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 65V
Power dissipation: 0.38W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Application: automotive industry
Type of transistor: NPN / PNP
Current gain: 200...475
на замовлення 2783 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+15.32 грн
38+11.21 грн
46+9.12 грн
55+7.61 грн
100+6.44 грн
500+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BPDW1T1G bc846bpdw1t1-d.pdf
SBC846BPDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
783+18.03 грн
814+17.36 грн
1192+11.84 грн
2006+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 783 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BPDW1T1G bc846bpdw1t1-d.pdf
SBC846BPDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+41.68 грн
24+31.72 грн
26+29.85 грн
100+17.38 грн
250+15.50 грн
500+10.15 грн
1000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BPDW1T1G bc846bpdw1t1-d.pdf
SBC846BPDW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN/PNP 65V 0.1A SOT363
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
378+54.15 грн
Мінімальне замовлення: 378 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BPDW1T1G bc846bpdw1t1-d.pdf
SBC846BPDW1T1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS SC88 DUAL GEN XSTR
на замовлення 21096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BPDW1T1G bc846bpdw1t1-d.pdf
SBC846BPDW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBC846BPDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 65 V, 65 V, 100 mA, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 380mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
на замовлення 6496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BPDW1T1G 2140520.pdf
SBC846BPDW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBC846BPDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 65 V, 65 V, 100 mA, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 28242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.