Продукція > ONSEMI > SBC846BPDW1T1G
SBC846BPDW1T1G

SBC846BPDW1T1G onsemi

bc846bpdw1t1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN/PNP 65V 0.1A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.25 грн
6000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SBC846BPDW1T1G onsemi

Description: ONSEMI - SBC846BPDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 65 V, 65 V, 100 mA, 100 mA, 380 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung, PNP: 380mW, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 380mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA.

Інші пропозиції SBC846BPDW1T1G за ціною від 4.61 грн до 41.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SBC846BPDW1T1G SBC846BPDW1T1G ON Semiconductor bc846bpdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BPDW1T1G SBC846BPDW1T1G ON Semiconductor bc846bpdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.00 грн
9000+5.88 грн
24000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BPDW1T1G SBC846BPDW1T1G ON Semiconductor bc846bpdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.70 грн
9000+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BPDW1T1G SBC846BPDW1T1G ON Semiconductor bc846bpdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.70 грн
9000+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BPDW1T1G SBC846BPDW1T1G ON Semiconductor bc846bpdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
783+18.07 грн
814+17.40 грн
1192+11.87 грн
2006+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 783 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BPDW1T1G SBC846BPDW1T1G ONSEMI bc846bpdw1t1-d.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 65V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
Current gain: 200...475
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.38W
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 2783 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.97 грн
38+11.32 грн
45+9.39 грн
100+7.13 грн
250+5.87 грн
500+5.20 грн
1000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BPDW1T1G SBC846BPDW1T1G onsemi bc846bpdw1t1-d.pdf Description: TRANS NPN/PNP 65V 0.1A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
25+12.15 грн
100+7.56 грн
500+5.22 грн
1000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BPDW1T1G SBC846BPDW1T1G ON Semiconductor bc846bpdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.77 грн
24+31.79 грн
26+29.92 грн
100+17.42 грн
250+15.53 грн
500+10.18 грн
1000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BPDW1T1G SBC846BPDW1T1G onsemi bc846bpdw1t1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS SC88 DUAL GEN XSTR
на замовлення 3847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BPDW1T1G SBC846BPDW1T1G ONSEMI bc846bpdw1t1-d.pdf Description: ONSEMI - SBC846BPDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 65 V, 65 V, 100 mA, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 380mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
на замовлення 6496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BPDW1T1G SBC846BPDW1T1G ONSEMI 2140520.pdf Description: ONSEMI - SBC846BPDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 65 V, 65 V, 100 mA, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 28242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BPDW1T1G bc846bpdw1t1-d.pdf
SBC846BPDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BPDW1T1G bc846bpdw1t1-d.pdf
SBC846BPDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.00 грн
9000+5.88 грн
24000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BPDW1T1G bc846bpdw1t1-d.pdf
SBC846BPDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.70 грн
9000+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BPDW1T1G bc846bpdw1t1-d.pdf
SBC846BPDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.70 грн
9000+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BPDW1T1G bc846bpdw1t1-d.pdf
SBC846BPDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
783+18.07 грн
814+17.40 грн
1192+11.87 грн
2006+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 783 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BPDW1T1G bc846bpdw1t1-d.pdf
SBC846BPDW1T1G
Виробник: ONSEMI
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 65V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
Current gain: 200...475
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.38W
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 2783 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+18.97 грн
38+11.32 грн
45+9.39 грн
100+7.13 грн
250+5.87 грн
500+5.20 грн
1000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BPDW1T1G bc846bpdw1t1-d.pdf
SBC846BPDW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN/PNP 65V 0.1A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.16 грн
25+12.15 грн
100+7.56 грн
500+5.22 грн
1000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BPDW1T1G bc846bpdw1t1-d.pdf
SBC846BPDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+41.77 грн
24+31.79 грн
26+29.92 грн
100+17.42 грн
250+15.53 грн
500+10.18 грн
1000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BPDW1T1G bc846bpdw1t1-d.pdf
SBC846BPDW1T1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS SC88 DUAL GEN XSTR
на замовлення 3847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BPDW1T1G bc846bpdw1t1-d.pdf
SBC846BPDW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBC846BPDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 65 V, 65 V, 100 mA, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 380mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
на замовлення 6496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BPDW1T1G 2140520.pdf
SBC846BPDW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBC846BPDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 65 V, 65 V, 100 mA, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 28242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.