SBC846BWT1G ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 42+ | 10.96 грн |
| 56+ | 7.64 грн |
| 84+ | 5.11 грн |
| 100+ | 4.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SBC846BWT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - SBC846BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SBC846BWT1G за ціною від 4.52 грн до 17.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SBC846BWT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 69480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SBC846BWT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 65V |
на замовлення 210000 шт: термін постачання 378-387 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
SBC846BWT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SBC846BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 8900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
SBC846BWT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SBC846BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 8900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SBC846BWT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 69480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 44+ | 17.18 грн |
| 45+ | 17.01 грн |
| 49+ | 15.65 грн |
| 100+ | 9.37 грн |
| 250+ | 8.33 грн |
| 500+ | 4.74 грн |
| 1000+ | 4.69 грн |
| 3000+ | 4.66 грн |
| 6000+ | 4.52 грн |
| SBC846BWT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 65V
Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 65V
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 378-387 дні (днів)
| SBC846BWT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBC846BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - SBC846BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SBC846BWT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBC846BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - SBC846BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




