Продукція > ON SEMICONDUCTOR > SBC846BWT1G
SBC846BWT1G

SBC846BWT1G ON Semiconductor

bc846awt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SBC846BWT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - SBC846BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції SBC846BWT1G за ціною від 1.33 грн до 14.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SBC846BWT1G SBC846BWT1G Виробник : ONSEMI bc846awt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.2W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
на замовлення 5025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
125+3.28 грн
150+ 2.46 грн
500+ 2.07 грн
575+ 1.43 грн
1550+ 1.35 грн
Мінімальне замовлення: 125
SBC846BWT1G SBC846BWT1G Виробник : ONSEMI bc846awt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.2W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 5025 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
75+3.93 грн
100+ 3.07 грн
500+ 2.48 грн
575+ 1.71 грн
1550+ 1.62 грн
12000+ 1.6 грн
Мінімальне замовлення: 75
SBC846BWT1G SBC846BWT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013684657-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SBC846BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 13220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 500
SBC846BWT1G SBC846BWT1G Виробник : onsemi BC846AWT1_D-2310458.pdf Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 65V
на замовлення 36384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+12.24 грн
36+ 8.63 грн
100+ 4.78 грн
1000+ 2.13 грн
2500+ 1.79 грн
10000+ 1.39 грн
30000+ 1.33 грн
Мінімальне замовлення: 26
SBC846BWT1G SBC846BWT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013684657-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SBC846BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 13220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
53+14.31 грн
73+ 10.21 грн
166+ 4.52 грн
500+ 4.11 грн
Мінімальне замовлення: 53
SBC846BWT1G SBC846BWT1G Виробник : onsemi bc846awt1-d.pdf Description: TRANS NPN 65V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 150 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SBC846BWT1G SBC846BWT1G Виробник : onsemi bc846awt1-d.pdf Description: TRANS NPN 65V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній