Продукція > ONSEMI > SBC846BWT1G
SBC846BWT1G

SBC846BWT1G onsemi

bc846awt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 65V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 150 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SBC846BWT1G onsemi

Description: ONSEMI - SBC846BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SBC846BWT1G за ціною від 1.90 грн до 14.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SBC846BWT1G SBC846BWT1G ONSEMI bc846awt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
на замовлення 6136 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+10.96 грн
56+7.64 грн
84+5.11 грн
100+4.27 грн
500+2.93 грн
1000+2.54 грн
3000+2.10 грн
6000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BWT1G SBC846BWT1G onsemi bc846awt1-d.pdf Description: TRANS NPN 65V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.89 грн
43+7.18 грн
100+4.45 грн
500+3.04 грн
1000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BWT1G SBC846BWT1G ONSEMI ONSM-S-A0013684657-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SBC846BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+14.55 грн
113+7.29 грн
150+5.52 грн
500+3.68 грн
1500+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BWT1G SBC846BWT1G ONSEMI ONSM-S-A0013684657-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SBC846BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.55 грн
113+7.29 грн
150+5.52 грн
500+3.68 грн
1500+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BWT1G SBC846BWT1G onsemi bc846awt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 65V
на замовлення 6231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+14.88 грн
39+8.35 грн
100+4.72 грн
500+3.38 грн
1000+2.96 грн
3000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BWT1G bc846awt1-d.pdf
SBC846BWT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
на замовлення 6136 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
42+10.96 грн
56+7.64 грн
84+5.11 грн
100+4.27 грн
500+2.93 грн
1000+2.54 грн
3000+2.10 грн
6000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BWT1G bc846awt1-d.pdf
SBC846BWT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 65V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
27+11.89 грн
43+7.18 грн
100+4.45 грн
500+3.04 грн
1000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BWT1G ONSM-S-A0013684657-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SBC846BWT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBC846BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
57+14.55 грн
113+7.29 грн
150+5.52 грн
500+3.68 грн
1500+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BWT1G ONSM-S-A0013684657-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SBC846BWT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBC846BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+14.55 грн
113+7.29 грн
150+5.52 грн
500+3.68 грн
1500+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC846BWT1G bc846awt1-d.pdf
SBC846BWT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 65V
на замовлення 6231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
23+14.88 грн
39+8.35 грн
100+4.72 грн
500+3.38 грн
1000+2.96 грн
3000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.