Продукція > ONSEMI > SBC847BLT1G
SBC847BLT1G

SBC847BLT1G onsemi

bc846alt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.46 грн
6000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SBC847BLT1G onsemi

Description: ONSEMI - SBC847BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SBC847BLT1G за ціною від 4.02 грн до 25.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SBC847BLT1G SBC847BLT1G ONSEMI ONSM-S-A0013180198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SBC847BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.54 грн
500+6.57 грн
1000+5.99 грн
5000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847BLT1G SBC847BLT1G ONSEMI BC846ALT1G.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
на замовлення 408 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+17.36 грн
37+11.62 грн
40+10.63 грн
100+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847BLT1G SBC847BLT1G onsemi bc846alt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.99 грн
23+13.29 грн
100+8.32 грн
500+5.77 грн
1000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847BLT1G SBC847BLT1G onsemi bc846alt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR SPCL TR
на замовлення 18217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.01 грн
23+14.27 грн
100+7.82 грн
500+5.78 грн
1000+5.07 грн
3000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847BLT1G SBC847BLT1G ONSEMI ONSM-S-A0013180198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SBC847BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+25.16 грн
55+15.13 грн
100+9.54 грн
500+6.57 грн
1000+5.99 грн
5000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847BLT1G ONSM-S-A0013180198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SBC847BLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBC847BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+9.54 грн
500+6.57 грн
1000+5.99 грн
5000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847BLT1G BC846ALT1G.PDF
SBC847BLT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
на замовлення 408 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
27+17.36 грн
37+11.62 грн
40+10.63 грн
100+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847BLT1G bc846alt1-d.pdf
SBC847BLT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+22.99 грн
23+13.29 грн
100+8.32 грн
500+5.77 грн
1000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847BLT1G bc846alt1-d.pdf
SBC847BLT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR SPCL TR
на замовлення 18217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
14+24.01 грн
23+14.27 грн
100+7.82 грн
500+5.78 грн
1000+5.07 грн
3000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847BLT1G ONSM-S-A0013180198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SBC847BLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBC847BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
33+25.16 грн
55+15.13 грн
100+9.54 грн
500+6.57 грн
1000+5.99 грн
5000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.