
SBC847BPDXV6T1G onsemi

Description: TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 357mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4000+ | 6.80 грн |
8000+ | 5.97 грн |
12000+ | 5.68 грн |
20000+ | 5.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SBC847BPDXV6T1G onsemi
Description: TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT-563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 357mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-563, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SBC847BPDXV6T1G за ціною від 5.74 грн до 37.40 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SBC847BPDXV6T1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 414480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SBC847BPDXV6T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 357mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 120356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SBC847BPDXV6T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: complementary pair Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.5W Case: SOT563 Current gain: 200...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
SBC847BPDXV6T1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: complementary pair Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.5W Case: SOT563 Current gain: 200...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry |
товару немає в наявності |