Продукція > ONSEMI > SBC847BPDXV6T1G
SBC847BPDXV6T1G

SBC847BPDXV6T1G onsemi


bc847bpdxv6t1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 357mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 104000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+7.99 грн
8000+7.01 грн
12000+6.67 грн
20000+5.89 грн
28000+5.68 грн
40000+5.47 грн
100000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SBC847BPDXV6T1G onsemi

Description: TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT-563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 357mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-563, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SBC847BPDXV6T1G за ціною від 5.59 грн до 40.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SBC847BPDXV6T1G SBC847BPDXV6T1G Виробник : onsemi bc847bpdxv6t1-d.pdf Description: TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 357mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 108376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.15 грн
15+22.21 грн
100+14.10 грн
500+9.93 грн
1000+8.87 грн
2000+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SBC847BPDXV6T1G SBC847BPDXV6T1G Виробник : onsemi BC847BPDXV6T1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT SS SOT563 GP XSTR PNP 40V
на замовлення 408927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+40.90 грн
15+24.70 грн
100+13.74 грн
500+10.30 грн
1000+9.18 грн
2000+8.23 грн
4000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.